[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310451544.5
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104518139A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張娟娟;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極層由金屬硫化物層、有機電子傳輸層、薄膜材料層和金屬層組成，所述金屬硫化物層材料選自硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂和硫化銅中至少一種，所述有機電子傳輸層材料選自2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲和2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中至少一種，薄膜材料層材料選自銦錫氧化物靶材、鋁鋅氧化物靶材和銦鋅氧化物靶材中至少一種，金屬層材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬硫化物層厚度為10nm～30nm，有機電子傳輸層厚度為50nm～200nm，薄膜材料層厚度為10nm～50nm和金屬層厚度為100nm～300nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種，所述電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰中的至少一種。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；及

在電子注入層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備金屬硫化物層，所述金屬硫化物層材料選自硫化鋅、硫化鎘、硫化鎂和硫化銅中至少一種，通過熱阻蒸鍍的方式在所述金屬硫化物層表面蒸鍍制備所述有機電子傳輸層，所述有機電子傳輸層材料選自2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲和2，8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中至少一種，通過磁控濺射方式在所述有機電子傳輸層表面制備膜材料層，薄膜材料層材料選自銦錫氧化物靶材、鋁鋅氧化物靶材和銦鋅氧化物靶材中至少一種，采用熱阻蒸鍍方式在所述薄膜材料層表面制備所述金屬層，所述金屬層材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。

6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述金屬硫化物層厚度為10nm～30nm，有機電子傳輸層厚度為50nm～200nm，薄膜材料層厚度為10nm～50nm和金屬層厚度為100nm～300nm。

7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為：工作壓強為2×10^-3Pa～5×10^-5Pa，工作電流為1A～3A，有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。

8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述磁控濺射方式的具體工藝條件為：工作壓強為2×10^-3～5×10^-5Pa，磁控濺射的加速電壓：300V～800V，磁場約：50G～200G，功率密度：1W/cm²～40W/cm²，有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。