[發明專利]用于測量電子封裝件的翹曲的方法及電子封裝件

有效

• 申請號: 201310451303.0
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN103499273A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 王玉傳
• 申請（專利權）人: 三星半導體（中國）研究開發有限公司;三星電子株式會社
• 主分類號: G01B7/16
• 分類號: G01B7/16
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;劉燦強

技術領域

本發明涉及半導體領域，具體地涉及一種用于測量電子封裝件的翹曲（warpage）的方法及電子封裝件。

背景技術

隨著電子封裝件的高度和焊球節距變得越來越小，翹曲問題成為電子封裝件尤其是POP封裝件的關鍵問題，目前主要通過陰影莫阿（shallow?moire）方法來測量翹曲，此方法是在模擬條件下進行的，存在的問題是效率低且不是實時測量的。

公開號為CN1210585A的專利申請公開了一種陰影莫阿干涉紋技術測量表面平度的方法。具體地，該專利申請中公開的方法包括：將測量對象傳送到光柵下；生成指示被測量對象表面平度的陰影莫阿干涉圖譜的圖像；確定出與所述陰影莫阿干涉紋圖譜的圖像的至少一個區域所限定的干涉紋數目有關的參數，從而由該參數指示被測量對象的表面平度。也就是說，該專利申請所涉及到的方法是傳統的測量封裝件翹曲度的方法，其也存在上述問題。

發明內容

為了解決上述技術問題中的至少一個，本發明提供了一種用于測量電子封裝件的翹曲的方法，所述方法能夠對電子封裝件的翹曲進行實時地、連續地測量，尤其在層疊封裝件（POP）中，能夠同時測量位于上方和下方的電子封裝件的翹曲，并可以測量任何一個電子封裝件的翹曲，提高了測量效率。

根據本發明的一方面，提供了一種用于測量電子封裝件的翹曲的方法，所述方法包括：在電子封裝件的上側和下側分別對應地布置ZnO納米線，其中，ZnO納米線的端部均與電極連接；利用電流測量器經由電極分別測量布置在電子封裝件的上側和下側的ZnO納米線產生的電流值；以及計算布置在電子封裝件的上側和下側的ZnO納米線產生的電流值之間的差，以確定電子封裝件的翹曲程度。

ZnO納米線可以被分別相對應地布置在電子封裝件的上表面和下表面上。

可以利用粘結劑將ZnO納米線分別相對應地貼附在電子封裝件的上表面和下表面上。

ZnO納米線可以被分別相對應地嵌入在電子封裝件的印刷電路板和塑封構件中。

所述電子封裝件可以包括在層疊封裝件中。

根據本發明的另一方面，提供了一種電子封裝件，所述電子封裝件包括至少兩條ZnO納米線，以測量電子封裝件的翹曲，其中，ZnO納米線分別相對應地貼附在電子封裝件的上表面和下表面上，或者分別相對應地嵌入在電子封裝件的印刷電路板和塑封構件中。

所述電子封裝件可以包括在層疊封裝件中。

附圖說明

圖1示意性地示出了在其上表面和下表面上分別布置有ZnO納米線的電子封裝件的剖視圖；

圖2示意性地示出了在其上表面和下表面上分別布置有ZnO納米線的電子封裝件的平面圖；

圖3示意性地示出了在層疊封裝件的每個單元電子封裝件的上下表面上分別布置有ZnO納米線的層疊封裝件（POP）的剖視圖。

具體實施方式

總體而言，本發明提供了一種用于測量電子封裝件的翹曲的方法，該方法包括：在電子封裝件的上側和下側分別布置ZnO納米線，其中，ZnO納米線的端部均與電極連接；利用電流測量器經由電極分別測量布置在電子封裝件的上側和下側的ZnO納米線產生的電流值；以及計算布置在電子封裝件的上側和下側的ZnO納米線產生的電流值之間的差，以確定電子封裝件的翹曲程度。

在一個實施例中，可以將ZnO納米線分別相對應地布置在電子封裝件的上表面和下表面上。具體地，可以利用粘結劑將ZnO納米線分別相對應地貼附在電子封裝件的上表面和下表面上。

在另一實施例中，可以將ZnO納米線分別相對應地嵌入在電子封裝件的印刷電路板和塑封構件中。

此外，本發明提供了一種電子封裝件，該電子封裝件包括至少兩條ZnO納米線，以測量電子封裝件的翹曲，其中，ZnO納米線分別相對應地貼附在電子封裝件的上表面和下表面上，或者分別相對應地嵌入在電子封裝件的印刷電路板和塑封構件中。另外，電子封裝件可以為層疊封裝件。

下面將參照附圖更詳細地對本發明進行描述。

圖1示意性地示出了在其上表面和下表面上分別布置有ZnO納米線的電子封裝件的剖視圖，圖2示意性地示出了在其上表面和下表面上分別布置有ZnO納米線的電子封裝件的平面圖。