[發明專利]電光學裝置、電光學裝置用基板及電子設備

有效

• 申請號: 201310451090.1
• 申請日: 2009-09-18
• 公開（公告）號: CN103558709A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 川上泰
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1343
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉建

1.一種電光學裝置，其特征在于，包含：

第1基板；

第2基板，其與所述第1基板對置地配置，使光透過；

液晶，其配置在所述第1基板與所述第2基板之間；

第1電極，其配置在所述第1基板與所述液晶之間，對光進行反射；

第2電極，其配置在所述第2基板與所述液晶之間，使光透過；

第1電介質層，其配置在所述第1電極與所述液晶之間；和

第2電介質層，其配置在所述第2電極與所述液晶之間，

所述第1電介質層，包含具有第1折射率的第1折射率層和具有比所述第1折射率大的第2折射率的第2折射率層，

所述第1折射率層配置在所述第2折射率層與所述第1電極之間。

2.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于，

還包含配置在所述第1電介質層與所述液晶之間的第1取向膜。

3.根據權利要求1或2所述的電光學裝置，其特征在于，

還包含配置在所述第2電介質層與所述液晶之間的第2取向膜。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，

所述第1電極是像素電極，

所述第2電極是公共電極。

5.根據權利要求4所述的電光學裝置，其特征在于，

所述第1電極含有鋁。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，

所述第1折射率不足1.7，所述第2折射率是1.7或1.7以上。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的電光學裝置，其特征在于，

所述第1電介質層，將所述第1折射率層與所述第2折射率層的組層疊多個而形成。

8.根據權利要求4或5所述的電光學裝置，其特征在于，

所述像素電極包含第1像素電極與第2像素電極，

在所述第1像素電極以及所述第2像素電極、與所述第1基板之間，配置有第1絕緣層，

在所述第1像素電極與所述第2像素電極之間，配置有第2絕緣層，

與所述第1像素電極、所述第2像素電極、以及所述第2絕緣層相接地配置所述第1折射率層。

9.根據權利要求8所述的電光學裝置，其特征在于，

在所述第1絕緣層的開口配置有塞子，

所述第1像素電極，經由所述塞子與晶體管電連接。

10.一種電光學裝置用基板，其特征在于，包含：

第1基板；

第1電極，其對光進行反射；和

第1電介質層，其被配置成覆蓋所述第1電極，

所述第1電介質層，包含具有第1折射率的第1折射率層和具有比所述第1折射率大的第2折射率的第2折射率層，

所述第1折射率層配置在所述第2折射率層與所述第1電極之間。

11.根據權利要求10所述的電光學裝置用基板，其特征在于，

還包含被配置成覆蓋所述第1電介質層的第1取向膜。

12.根據權利要求10或11所述的電光學裝置用基板，其特征在于，

所述第1電極是像素電極。

13.根據權利要求12所述的電光學裝置用基板，其特征在于，

所述第1電極含有鋁。

14.根據權利要求10～13中任一項所述的電光學裝置用基板，其特征在于，

所述第1折射率不足1.7，所述第2折射率是1.7或1.7以上。

15.根據權利要求10～14中任一項所述的電光學裝置用基板，其特征在于，

所述第1電介質層，將所述第1折射率層和所述第2折射率層的組層疊多個而形成。

16.根據權利要求12或13所述的電光學裝置用基板，其特征在于，

所述像素電極包含第1像素電極與第2像素電極，

在所述第1像素電極以及所述第2像素電極、與所述第1基板之間，配置有第1絕緣層，

在所述第1像素電極與所述第2像素電極之間，配置有第2絕緣層，

與所述第1像素電極、所述第2像素電極、以及所述第2絕緣層相接地配置所述第1折射率層。