[發明專利]一種基于X射線致熱技術的腫瘤光熱切除裝置有效
| 申請號: | 201310451041.8 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103463741A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 付姚;段曉龍;邢明銘;張楠;羅昔賢 | 申請(專利權)人: | 大連海事大學 |
| 主分類號: | A61N5/10 | 分類號: | A61N5/10 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人: | 趙淑梅;李馨 |
| 地址: | 116026 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 射線 技術 腫瘤 光熱 切除 裝置 | ||
1.一種基于X射線致熱技術的腫瘤光熱切除裝置,所述裝置包括X射線熱輻射器(2),所述X射線熱輻射器(2)包括X射線致熱粒子(21)、溫度敏感型X射線發光粒子(22)、氨基修飾的二氧化硅殼層(23);
所述氨基修飾的二氧化硅殼層(23)包覆溫度敏感型X射線發光粒子(22)和X射線致熱粒子(21);或氨基修飾的二氧化硅殼層(23)包覆溫度敏感型X射線發光粒子(22),溫度敏感型X射線發光粒子(22)包覆X射線致熱粒子(21)。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述裝置還包括光譜型溫度傳感器(3)、射線強度控制器(4)和X射線源(1),所述光譜型溫度傳感器(3)與射線強度控制器(4)的一端連接,射線強度控制器(4)的另一端與X射線源(1)連接,所述光譜型溫度傳感器(3)、射線強度控制器(4)和X射線源(1)位于生物體外,所述X射線熱輻射器(2)位于生物體內。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述溫度敏感型X射線發光粒子(22)為稀土離子摻雜的氧化物、硫化物或硫氧化物納米粒子,所述氧化物、硫化物或硫氧化物的陽離子為Mg、Al、Si、Ca、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Cd、In、Sn、Sb、Ba和La中的至少一種。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于:所述摻雜的稀土離子為Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述X射線致熱粒子(21)為氧化物、硫化物或硫氧化物納米粒子,所述氧化物、硫化物或硫氧化物的陽離子為金屬陽離子。
6.根據權利要求5所述的裝置,其特征在于:所述陽離子為Fe、Co、Y、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述X射線致熱粒子(21)粒徑為5~100nm。
8.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于:當所述氨基修飾的二氧化硅殼層(23)包覆溫度敏感型X射線發光粒子(22)和X射線致熱粒子(21)時,溫度敏感型X射線發光粒子(22)粒徑為5~100nm;當溫度敏感型X射線發光粒子(22)包覆X射線致熱粒子(21)時,溫度敏感型X射線發光粒子(22)殼層厚度為5~50nm。
9.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于:所述氨基修飾的二氧化硅殼層(23)厚度為2~30nm。
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