[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310450908.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103489892A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張金中;田宗民 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/32 | 分類號(hào)： | H01L27/32;H01L23/50;H01L51/56;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，所述陣列基板包括多個(gè)呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區(qū)域和非透光區(qū)域，所述透光區(qū)域包括像素電極，所述非透光區(qū)域包括薄膜晶體管、掃描線和數(shù)據(jù)線，其特征在于，
所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，且所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區(qū)域；
所述像素單元還包括設(shè)置在所述薄膜晶體管所在層上方的、與像素電極絕緣設(shè)置的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的覆蓋區(qū)域與所述像素電極的覆蓋區(qū)域相對(duì)應(yīng)，用于提供背光源。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與公共電極線連接，用于充當(dāng)陣列基板的公共電極。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：設(shè)置在像素電極上方的陰極，設(shè)置在陰極上方的發(fā)光材料層，以及設(shè)置在所述發(fā)光材料層上方的陽極，其中，所述陽極連接公共電極線；
或者，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：設(shè)置在像素電極上方的陽極，設(shè)置在陽極上方的發(fā)光材料層，以及設(shè)置在所述發(fā)光材料層上方的陰極，其中，所述陽極連接公共電極線。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述像素電極的上方，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)為狹縫狀，所述像素電極為板狀或狹縫狀；
或者，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述像素電極的下方，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)為狹縫狀或板狀，所述像素電極為狹縫狀。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為6000～8000埃。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述薄膜晶體管所在層與像素電極之間的鈍化層。
7.如權(quán)利要求1～6任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設(shè)置在像素電極與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的第二鈍化層。
8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1～7任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制作方法，所述方法包括形成數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極的步驟和形成薄膜晶體管的步驟，所述像素電極形成在像素單元的透明區(qū)域，所述薄膜晶體管、掃描線和數(shù)據(jù)線形成在所述像素單元的非透明區(qū)域，其特征在于，
所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，且所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區(qū)域；
所述方法還包括形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的步驟，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)位于所述薄膜晶體管所在層的上方，與所述像素電極絕緣設(shè)置，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的覆蓋區(qū)域與所述像素電極的覆蓋區(qū)域相對(duì)應(yīng)，用于提供背光源。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述像素電極的上方形成包括陰極的圖形；在所述包括陰極的圖形的上方形成包括發(fā)光材料層的圖形；在所述包括發(fā)光材料層的圖形的上方形成包括陽極的圖形；
或者，在所述像素電極的上方形成包括陽極的圖形；在所述包括陽極的圖形的上方形成包括發(fā)光材料層的圖形；在所述包括發(fā)光材料層的圖形的上方形成包括陰極的圖形。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在薄膜晶體管所在層的上方形成鈍化層，所述鈍化層位于所述薄膜晶體管所在層與像素電極之間。
12.如權(quán)利要求9～11任一所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在像素電極所在層的上方形成第二鈍化層，所述第二鈍化層位于像素電極與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
