[發明專利]Cu-Mn合金濺射靶材、Cu-Mn合金濺射靶材的制造方法以及半導體元件

在審

• 申請號: 201310450062.8
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN103966558A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 辰巳憲之;關聰至;小林隆一;上田孝史郎
• 申請（專利權）人: 株式會社SH銅業
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22C1/02;H01L21/203
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種Cu-Mn合金濺射靶材，其特征在于，以含有平均濃度為5原子%以上且30原子%以下的Mn并且平均結晶粒徑為10μm以上且50μm以下的Cu-Mn合金作為母材，

利用X射線能譜分析得到的Mn濃度的最大值和最小值與所述平均濃度的差為±2原子%以內。

2.根據權利要求1所述的Cu-Mn合金濺射靶材，其特征在于，在所述Cu-Mn合金中存在含有比所述平均濃度更高濃度的Mn和含雜質的氧化物中的至少一種的異物的情況下，所述Cu-Mn合金的1cm×1cm內的結晶組織中，最大徑為5μm以上的所述異物為10個以下。

3.根據權利要求2所述的Cu-Mn合金濺射靶材，其特征在于，所述雜質為C、S、Si、P中的至少一種。

4.根據權利要求2所述的Cu-Mn合金濺射靶材，其特征在于，所述雜質為C、S、Si、P中的至少一種，所述雜質在所述Cu-Mn合金的結晶組織中的平均濃度是C為10ppm以下、S為20ppm以下、Si為20ppm以下、P為100ppm以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的Cu-Mn合金濺射靶材，其特征在于，所述Mn濃度的最大值和最小值與所述平均濃度的差為±0.5原子%以內。

6.一種Cu-Mn合金濺射靶材的制造方法，其特征在于，將相對于純度3N以上的Cu以達到5原子%以上且30原子%以下的平均濃度的方式添加了純度3N以上的Mn的原料進行熔化并鑄造，從而得到鑄造物，然后，

將所述鑄造物在800℃以上且870℃以下的溫度下加熱從而使所述鑄造物的整體均熱化，以90%以上的加工度進行熱軋。

7.一種半導體元件，其特征在于，在基板上具備通過在氧化物半導體上形成Cu-Mn合金膜而構成的配線結構，所述Cu-Mn合金是使用權利要求1～5中任一項所述的Cu-Mn合金濺射靶材或利用權利要求6所述的方法制造的Cu-Mn合金濺射靶材而形成的。

8.根據權利要求7所述的半導體元件，其特征在于，所述配線結構具有純Cu膜以及將所述純Cu膜夾在中間的2層所述Cu-Mn合金膜。