[發明專利]一種透明有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310449884.4 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN104518094A | 公開(公告)日: | 2015-04-15 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透明 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光領域,尤其涉及一種透明有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是電光源中的一種。1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展,這一突破性進展使得有機電致發光器件(OLED)的研究得以在世界范圍內迅速廣泛地開展起來。
對于現有的有機電致發光器件(OLED),根據光的發射面的不同,可將其分為三類:底部發光有機電致發光器件(BOLED),頂部發光有機電致發光器件(TEOLED)和透明有機電致發光器件(TOLED)。透明有機電致發光器件(TOLED)與頂部發光有機電致發光器件(TEOLED)和底部有機電致發光器件(BOLED)的不同之處在于:陰極和陽極都采用透明材料,從而使得發光器內產生的光從陰極和陽極兩面同時射出。透明有機電致發光器件(TOLED)在加電時其兩面都可發射光,而不加電時成透明狀的特性,開辟了顯示領域的一個特殊應用方向。但由于透明有機電致發光器件(TOLED)所采用的陰極和陽極材料的折射率有所不同,結果導致兩面的出光效率差別較大,從而影響了透明有機電致發光器件(TOLED)在實際應用中的視覺效果。所以,如何縮小透明有機電致發光器件(TOLED)兩面的出光效率之差是當今技術人員所要迫切解決的問題之一。
發明內容
為解決上述問題,本發明第一方面提供了一種透明有機電致發光器件,該透明器件設置的陽極包括第一陽極層和第二陽極層;設置的陰極的材料為銦錫氧化物;通過設置雙層結構的陽極層,使得陽極面出光效率達到了陰極面出光效率的50%以上,使透明有機電致發光器件兩面的出光效率之差縮小了,改善了透明有機電致發光器件在實際應用中的視覺效果;本發明第二方面還提供了該透明有機電致發光器件的制備方法。
第一方面,本發明提供了一種透明有機電致發光器件,包括玻璃基底,以及在所述玻璃基底表面上依次層疊設置的陽極、有機發光功能層和陰極;
所述陽極包括依次層疊設置在所述玻璃基底表面上的第一陽極層和第二陽極層;所述第一陽極層的材料為(3-巰基丙基)三甲氧基鍺烷、(3-巰基乙基)三甲氧基鍺烷、(3-巰基甲基)三甲氧基鍺烷和O,O,O-三甲基-巰基鍺烷中的至少一種;所述第二陽極層的材料為鎂-銀合金、鋰-鋁合金、單質鋇和單質鈣中的至少一種;
所述有機發光功能層至少包括依次層疊設置在所述第二陽極層表面上的空穴注入層、綠色發光層和電子注入層;
所述陰極的材料為銦錫氧化物。
第一陽極層可以增加光的透射率,第二陽極層中的金屬本身的優異特性,可以提高電極的導電性能;通過設置雙層結構的陽極層,使得陽極面出光效率達到了陰極面出光效率的50%以上,縮小了透明有機電致發光器件兩面的出光效率之差,改善了透明有機電致發光器件在實際應用中的視覺效果;空穴注入層可以減小陽極材料與有機發光功能層材料間的空穴注入勢壘,增加注入效率,進而提高透明器件的發光效率;電子注入層可以減小陰極材料與有機發光功能層材料間的電子注入勢壘,增加注入效率,進而提高透明器件的發光效率。
優選地,所述鎂-銀合金中的鎂、銀質量比為8:1~13:1;所述鋰-鋁合金中的鋰、鋁質量比為1:0.005~1:0.01。
優選地,所述第一陽極層的厚度為2nm~4nm。
優選地,所述第二陽極層的厚度為10nm~20nm。
優選地,所述陰極的厚度為100nm~150nm。
優選地,所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料和摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料;所述空穴注入材料的摻雜質量分數為25%~35%;所述空穴傳輸材料為N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)聯苯、N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-4,4'-聯苯二胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)環己烷中的至少一種;所述空穴注入材料為三氧化鉬、三氧化鎢、五氧化二釩和三氧化錸中的至少一種;所述空穴注入層的厚度為10nm~15nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





