[發明專利]常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法有效
| 申請號: | 201310449475.4 | 申請日: | 2013-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103525419A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 林君;耿冬苓 | 申請(專利權)人: | 中國科學院長春應用化學研究所 |
| 主分類號: | C09K11/79 | 分類號: | C09K11/79 |
| 代理公司: | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人: | 王丹陽 |
| 地址: | 130022 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 常壓 低溫 制備 硅酸鹽 發光 材料 方法 | ||
1.常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)以金屬的硝酸鹽作為金屬離子來源,以正硅酸乙酯為硅源,加入配位劑和交聯劑,通過溶膠凝膠法制備溶膠;
所述金屬的硝酸鹽為基質金屬的硝酸鹽,或者為基質金屬的硝酸鹽和摻雜離子的硝酸鹽的混合物;
(2)將步驟(1)得到的溶膠在60-90℃加熱蒸干,然后在400-600℃預燒1-6h,再在700-800℃燒結3-5h,得到氮氧硅酸鹽發光材料的前驅體;
(3)將步驟(2)中得到的前驅體置于容器中,通入氨氣,升溫至1150-1200℃,常壓下煅燒4-12h,冷卻,即得到氮氧硅酸鹽發光材料。
2.根據權利要求1所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述步驟(3)在加壓條件下煅燒4-12h。
3.根據權利要求2所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述步驟(3)在0.11-1.0MPa下煅燒4-12h。
4.根據權利要求1所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述基質金屬的硝酸鹽為Y(NO3)3,所述摻雜離子的硝酸鹽為Ce(NO3)3、Eu(NO3)3、Tb(NO3)3中的一種或幾種的混合。
5.根據權利要求1所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述氮氧硅酸鹽發光材料為Y4(1-x)Si2N2O7:xA3+或者Y5(1-x)Si3O12N:xA3+,其中,A為Ce、Eu、Tb中的一種或幾種的混合,x為0-0.1。
6.根據權利要求1所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述配位劑為一水合檸檬酸或者水楊酸。
7.根據權利要求1所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述交聯劑為聚乙二醇,聚乙二醇分子量為10000-20000。
8.根據權利要求1所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述溶膠的制備方法為:
(1)將金屬的硝酸鹽加入去離子水,攪拌均勻,得到溶液;
(2)向上述溶液中加入配位劑,攪拌均勻,使配位劑與金屬離子完全配位,得到配位后溶液;
(3)向上述配位后溶液中加入溶有正硅酸乙酯的溶液,攪拌均勻,得到混合溶液;
(4)再向混合溶液中加入交聯劑,室溫下300rpm以上攪拌,得到溶膠。
9.根據權利要求8所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述步驟(4)的攪拌轉速為300-500rpm。
10.根據權利要求8所述常壓低溫下制備氮氧硅酸鹽發光材料的方法,其特征在于,所述金屬的硝酸鹽與配位劑的摩爾比為1∶2,交聯劑在混合溶液中的濃度為0.07-0.2g/mL。
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