[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310449355.4
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104518131A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括依次層疊設置的有機阻擋層和無機阻擋層，所述有機阻擋層的材料包括酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種；

所述無機阻擋層的材料包括金屬單質和金屬氧化物，所述金屬單質所占質量分數為10～30%，所述金屬單質為銅、鋁、銦、金、鎳和銀中的一種或幾種；所述金屬氧化物為氧化鎢、氧化鉻、氧化鉬、二氧化錳、二氧化錸和三氧化錸中的一種或幾種。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機阻擋層的厚度為200nm～300nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為100nm～150nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機阻擋層和無機阻擋層依次交替設置4～6層。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺及摻雜在所述N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺中的MoO₃，所述MoO₃的摻雜質量分數為30%；所述空穴傳輸層的材料為4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述發光層的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯和摻雜在所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三（2-苯基吡啶）合銥，所述三（2-苯基吡啶）合銥的摻雜質量分數為5%；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；所述電子注入層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲羅啉和摻雜在所述4,7-二苯基-1,10-菲羅啉中的CsN₃，所述CsN₃的摻雜質量分數為30%。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）提供潔凈陽極導電基板，在陽極導電基板上依次真空蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；

（2）在所述陰極上制備封裝層，得到有機電致發光器件；其中，所述封裝層包括有機阻擋層和無機阻擋層，具體制備方法如下：采用真空蒸發的方式在所述陰極表面依次沉積有機阻擋層和無機阻擋層，真空蒸發過程中的真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸發速度為

所述有機阻擋層的材料包括酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和4，7-二苯基-1，10-鄰菲羅啉中的至少一種；

所述無機阻擋層的材料包括金屬單質和金屬氧化物，所述金屬單質所占質量分數為10～30%，所述金屬單質為銅、鋁、銦、金、鎳和銀中的一種或幾種；所述金屬氧化物為氧化鎢、氧化鉻、氧化鉬、二氧化錳、二氧化錸和三氧化錸中的一種或幾種。

7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層的厚度為200nm～300nm。

8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為100nm～150nm。

9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述有機阻擋層和無機阻擋層依次交替設置4～6層。

10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺及摻雜在所述N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺中的MoO₃，所述MoO₃的摻雜質量分數為30%；所述空穴傳輸層的材料為4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述發光層的材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯和摻雜在所述1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的三（2-苯基吡啶）合銥，所述三（2-苯基吡啶）合銥的摻雜質量分數為5%；所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；所述電子注入層的材料包括4,7-二苯基-1,10-菲羅啉和摻雜在所述4,7-二苯基-1,10-菲羅啉中的CsN₃，所述CsN₃的摻雜質量分數為30%。