[發明專利]一種防雷電納米磁阻流裝置

有效

• 申請號: 201310448886.1
• 申請日: 2013-09-28
• 公開（公告）號: CN103474975A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 郭玉章;張強
• 申請（專利權）人: 成都星河科技產業有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02G7/00;H01F7/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種防雷電納米磁阻流裝置，其特征在于：在其工程塑料殼體內的磁體，是由具有相同直徑和相等厚度的兩個半圓塊納米磁體(5-1)組合而成,在組合成一體的兩個半圓塊納米磁體(5-1)的中心部位制有輸電線(3)的穿插孔，在組合成一體的兩個半圓塊納米磁體(5-1)的一條直徑的兩端部位，分別制有與各自半圓塊納米磁體(5-1)形成一體、固定兩個半圓塊納米磁體(5-1)的螺栓連接塊(5-3)及其連接螺栓(5-2)；所述防雷電納米磁阻流裝置殼體內采用的磁體，是由納米粉體制成以Fe元素為主體，摻雜少量Ni、Al、Co、Mn元素組成的10—20?nm微晶態納米磁體，是具有飽和磁感應強度為?1.2T、初始磁導率為?8×10⁴，電阻率為80μΩ/cm,?在安裝節點形成48—52μH等效接入電感的納米磁體。

2.按照權利要求1所述的防雷電納米磁阻流裝置,其XHZL-L線路型防雷電納米磁阻流裝置具有下述特征：?

直徑：103mm?,

厚度：35mm,

重量：1.25kg,

在安裝節點形成48μH的等效接入電感，

?最低耐壓標準450KV，

抗有效雷電流幅值350KA，

工作頻率50?H_Z阻抗為0；工作頻率5k?H_Z阻抗不小于1Ω；在頻率1M?H_Z下阻抗不小于20Ω；在頻率2M?H_Z下阻抗不小于4000Ω；在頻率10M下阻抗不小于20000Ω；適于高壓輸電線路輸送電壓的等級：35KV/110?KV/220?KV/330?KV。

3.按照權利要求1所述的防雷電納米磁阻流裝置,其XHZL-T終端型防雷電納米磁阻流裝置具有下述特征：

直徑：103mm,

厚度：63?mm,

重量：2.6kg,

在安裝節點形成52μH的等效接入電感，

最低耐壓標準450KV,

抗有效雷電流幅值350KA，

工作頻率50?H_Z阻抗為0；工作頻率5k?H_Z阻抗不小于1Ω；在頻率1M?H_Z下阻抗不小于300Ω；在頻率2M?H_Z下阻抗不小于5000Ω；在頻率10M下阻抗不小于26000Ω；適于高壓輸電線路輸送電壓的等級：35KV/110?KV/220?KV/330?KV。