[發(fā)明專利]一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310448729.0
• 申請(qǐng)日: 2013-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103553002A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹傳強(qiáng);魏秀琴;周浪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌大學(xué)
• 主分類號(hào): C01B21/068
• 分類號(hào): C01B21/068
• 代理公司: 南昌洪達(dá)專利事務(wù)所 36111
• 代理人: 劉凌峰

1.?一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法，其特征是在保護(hù)氣氛中對(duì)硅片鋸屑粉進(jìn)行高溫氮化，采用氮?dú)狻⒌獨(dú)浠旌蠚狻睔庵幸环N或幾種混合氣體作為保護(hù)氣氛，氬氣作為氮化時(shí)的輔助氣體，最高氮化溫度為1250℃~1380℃，氮化過(guò)程中保溫時(shí)間根據(jù)原料的用量來(lái)確定；然后使用粉磨設(shè)備對(duì)氮化產(chǎn)物進(jìn)行粉磨，之后采用無(wú)機(jī)酸對(duì)粉磨所得氮化硅微粉酸洗，之后水洗，最后干燥得到高純?chǔ)料嗟璺垠w。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法，其特征是所述硅片鋸屑粉是通過(guò)對(duì)多晶硅與單晶硅太陽(yáng)能電池片、電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)使用的硅晶圓切割所產(chǎn)生的鋸屑廢料，包括帶鋸屑、磨屑、金剛石線鋸屑，以及硅烷法生產(chǎn)多晶硅過(guò)程中產(chǎn)生的超細(xì)硅粉進(jìn)行常規(guī)的酸洗、水洗、烘干工藝回收提純獲得的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法，其特征是所述氬氣的體積分?jǐn)?shù)為0%~80%，優(yōu)選為10%~60%。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法，其特征是所述氮?dú)浠旌蠚庵袣錃獾捏w積分?jǐn)?shù)為0%~50%，優(yōu)選為5%~15%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法，其特征是所述的無(wú)機(jī)酸是HCl、HF、HNO₃、H₂SO₄中一種或多種混合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以回收硅片切割鋸屑制備高純?chǔ)料嗟璺垠w的方法，其特征是氮化溫度分兩端或多段進(jìn)行，優(yōu)選為第一階段溫度為600℃~900℃，以每分鐘5℃~10℃升溫；隨后以每分鐘1℃~5℃速度升溫，最高溫度為1250℃~1380℃。