[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310447687.9
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN103700402A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 津村和宏
• 申請（專利權(quán)）人: 精工電子有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有非易失性存儲器的半導(dǎo)體存儲電路。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體電路裝置為了電壓的調(diào)整而常常帶有電阻分壓電路。作為使用該電路的一例，能夠列舉通常稱為電壓檢測器的電壓檢測電路裝置。這是以下電路裝置：由基準(zhǔn)電壓、放大器、電阻分壓電路、輸出晶體管構(gòu)成，根據(jù)電壓是高于還是低于設(shè)定的檢測電壓值，輸出Hi/Lo（高/低）。如果用半導(dǎo)體晶片加工制造該電路，則由于制造工序的偏差，基準(zhǔn)電壓會有偏差。于是，通過事先使得能夠任意調(diào)整電阻分壓電路的分壓比，從而能夠?qū)z測電壓值設(shè)定為一定值。另外，由于通過控制電阻分壓電路的分壓比而能夠控制檢測電壓值，因而具有容易獲得任意的檢測電壓值的優(yōu)點。

作為調(diào)整電阻分壓電路的分壓比的手段而常用的是調(diào)整用熔線。對構(gòu)成電阻分壓電路的許多電阻器每個并聯(lián)地配置熔線，通過用激光切斷該熔線而進行調(diào)整。與未切斷的熔線并聯(lián)的電阻器因熔線而短路，因而不作為電阻器起作用，與被切斷的熔線并聯(lián)的電阻器由于熔線被切斷(即，為斷開狀態(tài))而作為電阻器起作用。

此外，使用可電寫入的EPROM的情況也較多。與電阻器并聯(lián)地配置晶體管，根據(jù)EPROM的存儲信息，通過使并聯(lián)配置的晶體管接通/關(guān)斷（ON/OFF）而進行調(diào)整。EPROM的優(yōu)點在于即使在裝在封裝或板之后也能夠電寫入這點。在熔線的情況下，由于激光照射是必要的，因而有必要在裝入封裝之前進行。

接著，關(guān)于EPROM，EPROM也有許多方式，常用的有以下MOS晶體管構(gòu)造：具有浮柵，根據(jù)蓄積于浮柵的電荷，閾值電壓VT變化，利用此存儲數(shù)據(jù)1/0。以下，EPROM是指該構(gòu)造。

使用EPROM的情況的要求事項，有代表性的可以舉出消耗電流小、不產(chǎn)生數(shù)據(jù)錯亂、電路小。

數(shù)據(jù)向EPROM的寫入較多地利用在漏極/源極間賦予高電壓、流經(jīng)源極/漏極間的電荷變?yōu)闊彷d流子的所謂的熱載流子注入。該寫入方式的特征為：在源極/漏極間賦予高電壓。

在該方式的情況下，如果在數(shù)據(jù)的讀出或保持中對漏極施加某一程度的電壓，則在讀出或保持中有時候也產(chǎn)生寫入。因此，提出了專利文獻1那樣的方案。其特征在于，對EPROM施加電壓，流過瞬態(tài)電流而讀出數(shù)據(jù)，將該數(shù)據(jù)存儲于鎖存電路。鎖存電路在電源接通期間持續(xù)存儲數(shù)據(jù)，因而僅在接通電源的瞬間對EPROM施加電壓，這以后，能夠不施加電壓。因此，EPROM的存儲數(shù)據(jù)錯亂的情況減少，可靠性提高。

接著，介紹專利文獻2。這是將EPROM兩個串聯(lián)排列，使一方接通，另一方關(guān)斷。由于某一方關(guān)斷，因而電流不流經(jīng)電源間。另外，由于與專利文獻1相比為簡單的電路構(gòu)成，因而具有面積小的優(yōu)點。

專利文獻1：日本特開平7-122090號公報；

專利文獻2：日本特開2003-257186號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在作為現(xiàn)有示例而在圖17中示出的專利文獻1的方法中，在鎖存電路存在讀出數(shù)據(jù)時的問題。如專利文獻2中所述，特別是在電源電壓剛接通后的讀出存在問題。另外，在應(yīng)用于背景技術(shù)中敘述的電壓檢測器中的情況下，電源電壓的端子和檢測電壓的端子共用的情況較多，電源電壓自身不穩(wěn)定，因而特別容易產(chǎn)生該問題。

在專利文獻2的情況下，雖然能夠避免鎖存電路的問題，但是由于EPROM的某一方的漏極電壓變高，因而存在少許寫入逐漸產(chǎn)生而EPROM的數(shù)據(jù)錯亂的問題。

在電壓檢測器的情況下，當(dāng)然，期望檢測電壓的允許范圍較寬。例如在檢測電壓5V下輸出進行1/0切換的電壓檢測器的情況下，與施加至檢測端子的被允許電壓為4V～6V相比，1V～10V的制品競爭力更高。如前所述，由于檢測電源電壓和電壓的端子共用的情況較多，因而要求電源電壓的允許范圍較寬。因此，要求即使電源電壓較高數(shù)據(jù)也不錯亂。專利文獻2的方式顯出以下問題：電源電壓越高，電荷越容易注入關(guān)斷的EPROM的浮柵，因而EPROM的數(shù)據(jù)錯亂。

使用EPROM的調(diào)整電路即使是現(xiàn)在也在一部分領(lǐng)域中使用，但是由于存在如上所述的問題，因而存在不使用的領(lǐng)域。

用于解決問題的技術(shù)方案

為了解決上述問題，在本發(fā)明的電阻分壓電路中采用以下構(gòu)成。

即，采取一種半導(dǎo)體存儲電路，其將第一倒相器的輸出連接至可電寫入的第一非易失性存儲器的源極，將第一非易失性存儲器的漏極連接至第二倒相器的輸入，將第二倒相器的輸出連接至第二非易失性存儲器的源極，將第二非易失性存儲器的漏極連接至第一倒相器的輸入，將第二非易失性存儲器的漏極作為輸出。

發(fā)明的效果