[發明專利]一種納米壓印光刻裝置及其方法

有效

• 申請號: 201310447608.4
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN103488046B
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發明（設計）人: 袁偉
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種納米壓印光刻裝置，用于對表面涂有電感性光刻膠的襯底進行光刻，包括：

模板基板；

其特征在于，還包括：

壓印模板，具有導電性，位于所述模板基板的表面上，所述壓印模板表面與襯底上的光刻膠面相向設置，所述壓印模板具有與形成目標圖案的反向凹凸圖案，與所述被刻襯底上的電感性光刻膠接觸；

電子源，為所述壓印模板中凹凸圖案提供電子流；

其中，當所述壓印模板上的凸圖案與所述被刻襯底上的電感性光刻膠接觸時，凸圖案上的所述電子流對所述電感性光刻膠進行圖像化感光。

2.如權利要求1所述的納米壓印光刻裝置，其特征在于，所述壓印模板的材料為金屬。

3.如權利要求1所述的納米壓印光刻裝置，其特征在于，所述壓印模板尺寸與所述襯底尺寸相同。

4.如權利要求1所述的納米壓印光刻裝置，其特征在于，所述壓印模板尺寸小于所述襯底尺寸。

5.如權利要求1所述的納米壓印光刻裝置，其特征在于，所述壓印模板形狀為矩形、三角形或者圓形。

6.如權利要求1所述的納米壓印光刻裝置，其特征在于，所述電子源為電子束式或接觸式。

7.如權利要求6所述的納米壓印光刻裝置，其特征在于，所述接觸式電子源均勻地排布。

8.一種采用權利要求1所述裝置進行納米壓印光刻方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：在壓印模板上制作具有與形成目標圖案的反向凹凸圖案；

步驟S2：在襯底表面上涂電感性光刻膠；

步驟S3：將所述壓印模板與所述襯底對準；

步驟S4：使所述壓印模板上的凸圖案表面與所述襯底上的所述電感性光刻膠表面接觸；

步驟S5：開啟電子束式或接觸式電子源，電子通過模板傳導到所述光刻膠表面和所述壓印模板圖形接觸區域；

步驟S6：所述光刻膠表面與所述壓印模板接觸的區域被電子感光，所述壓印模板上的反向凹凸圖案轉移到所述光刻膠表面，形成目標圖案；

步驟S7：分離所述壓印模板與所述襯底。

9.如權利要求8所述的納米壓印光刻方法，其特征在于，在S4之前，還包括在所述壓印模板與所述光刻膠面相對的接觸表面進行親水性預處理的步驟。

10.如權利要求8所述的納米壓印光刻方法，其特征在于，步驟S2中，所述光刻膠為正性光刻膠或負性光刻膠。