[發(fā)明專利]射頻識(shí)別中的負(fù)載調(diào)制模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310447401.7
• 申請(qǐng)日: 2013-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104518735B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅志軍;馬和良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H03C3/40
• 分類號(hào): H03C3/40;G06K7/00
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 戴廣志

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及模擬集成電路中負(fù)載調(diào)制電路領(lǐng)域，特別是涉及一種射頻識(shí)別中的負(fù)載調(diào)制模塊。

背景技術(shù)

在射頻識(shí)別中，射頻識(shí)別卡片需要耦合讀卡機(jī)發(fā)出來(lái)的模擬信號(hào)，并解調(diào)出讀卡機(jī)發(fā)出的數(shù)據(jù)再送給數(shù)字電路處理，數(shù)字電路將處理后的數(shù)據(jù)再經(jīng)過(guò)負(fù)載調(diào)制電路返回給讀卡機(jī)，這就完成了整個(gè)通訊過(guò)程。將數(shù)據(jù)返回給讀卡機(jī)的過(guò)程就是負(fù)載調(diào)制，負(fù)載調(diào)制的波形和負(fù)載調(diào)制深度不好，會(huì)影響讀卡機(jī)對(duì)數(shù)據(jù)的解調(diào)，因此負(fù)載調(diào)制電路非常重要和關(guān)鍵。

參見(jiàn)圖1，在傳統(tǒng)的負(fù)載調(diào)制電路中，NMOS晶體管MN3就相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)，調(diào)制的時(shí)候就導(dǎo)通，不調(diào)制的時(shí)候就關(guān)閉，DIN是控制信號(hào)，由數(shù)字電路提供并控制。MOS晶體管的導(dǎo)通和關(guān)閉會(huì)影響著天線上的信號(hào)，當(dāng)MOS晶體管導(dǎo)通時(shí)，天線上的信號(hào)就會(huì)被拉下來(lái)，形成一個(gè)的凹槽，一個(gè)一個(gè)的凹槽信號(hào)就是負(fù)載調(diào)制波形，在這些波形中帶有數(shù)據(jù)，最后再由讀卡機(jī)解調(diào)出來(lái)。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)，工作在小場(chǎng)強(qiáng)下，負(fù)載調(diào)制波形和負(fù)載調(diào)制深度都還不錯(cuò)；缺點(diǎn)是工作在大場(chǎng)強(qiáng)下，負(fù)載調(diào)制波形和負(fù)載調(diào)制深度都變差，讀卡機(jī)難以解調(diào)，或者容易導(dǎo)致讀卡機(jī)解調(diào)錯(cuò)誤。如果讀卡機(jī)解調(diào)出錯(cuò)，整個(gè)通訊也就失敗了。因此在各個(gè)場(chǎng)強(qiáng)下都具有較好的負(fù)載調(diào)制波形和較大的負(fù)載調(diào)制深度都是非常重要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種射頻識(shí)別中的負(fù)載調(diào)制模塊，能夠較好的改善大場(chǎng)強(qiáng)下的負(fù)載調(diào)制波形和負(fù)載調(diào)制深度，增強(qiáng)射頻識(shí)別卡片的兼容性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的射頻識(shí)別中的負(fù)載調(diào)制模塊，包括：

一耦合電路，用于將信號(hào)耦合到射頻識(shí)別卡片端，或者將射頻識(shí)別卡片端的負(fù)載調(diào)制信號(hào)耦合到讀卡機(jī)端；

一負(fù)載調(diào)制電路，與所述耦合電路的輸出端相連接，用于將數(shù)字電路處理后的數(shù)據(jù)返回給讀卡機(jī)；其中還包括：一限幅電路，與所述負(fù)載調(diào)制電路的輸出端相連接，用于對(duì)所述負(fù)載調(diào)制電路的輸出進(jìn)行限幅，并為該負(fù)載調(diào)制電路提供一可變電壓；該可變電壓跟隨場(chǎng)強(qiáng)變化而變化，場(chǎng)強(qiáng)增大時(shí)，該可變電壓也增高，場(chǎng)強(qiáng)降低時(shí)，可變電壓也降低；且在大場(chǎng)強(qiáng)時(shí)能控制負(fù)載調(diào)制電路導(dǎo)通，完成負(fù)載調(diào)制。

本發(fā)明的負(fù)載調(diào)制模塊，通過(guò)一個(gè)隨場(chǎng)強(qiáng)變化的可變電壓來(lái)控制負(fù)載調(diào)制電路，當(dāng)工作在小場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，可變電壓的電壓值不大，可以很好的控制和完成信號(hào)的負(fù)載調(diào)制；當(dāng)工作在大場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，其電壓值比較大，能夠?qū)⑻炀€波形拉下來(lái)，同樣可以形成較好的負(fù)載調(diào)制波形和較大的負(fù)載調(diào)制深度。因此本發(fā)明的負(fù)載調(diào)制電路不僅在小場(chǎng)強(qiáng)下的負(fù)載調(diào)制波形和負(fù)載調(diào)制深度好，大場(chǎng)強(qiáng)下的負(fù)載調(diào)制波形和負(fù)載調(diào)制深度也很好能更好的滿足讀卡機(jī)的解調(diào)；射頻識(shí)別卡片能夠較好的兼容各種讀卡機(jī)，從而保證射頻識(shí)別卡片的正常通訊，增強(qiáng)了射頻識(shí)別卡片的兼容性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是現(xiàn)有的負(fù)載調(diào)制電路原理圖；

圖2是所述射頻識(shí)別中的負(fù)載調(diào)制模塊一實(shí)施例原理圖。

具體實(shí)施方式

圖2是本發(fā)明的一實(shí)施例，所述射頻識(shí)別中的負(fù)載調(diào)制模塊，包括：一耦合電路，與所述耦合電路的輸出端相連接的一負(fù)載調(diào)制電路，與所述負(fù)載調(diào)制電路的輸出端相連接的一限幅電路。為了改善大場(chǎng)強(qiáng)下的負(fù)載調(diào)制波形和負(fù)載調(diào)制深度，增強(qiáng)射頻識(shí)別卡片的兼容性，所述負(fù)載調(diào)制電路通過(guò)一個(gè)可變電壓，在大場(chǎng)強(qiáng)下來(lái)控制負(fù)載調(diào)制電路中NMOS晶體管MN1和MN2的開(kāi)啟，從而實(shí)現(xiàn)負(fù)載調(diào)制。

所述耦合電路，由電感L1，電感L2和電容C1組成。電容C1并聯(lián)在電感L2的兩端。輸入信號(hào)IN通過(guò)電感L1和L2耦合到射頻識(shí)別卡片端，與電容C1發(fā)生諧振；同時(shí)，將數(shù)據(jù)信號(hào)輸入給射頻電路，射頻電路解調(diào)出數(shù)字信號(hào)傳送給數(shù)字電路，數(shù)字電路將處理后的數(shù)據(jù)再返回給讀卡機(jī)。數(shù)字電路處理后返回的數(shù)據(jù)以負(fù)載調(diào)制的方式返回，即數(shù)字電路通過(guò)控制圖2中負(fù)載調(diào)制電路的負(fù)載調(diào)制信號(hào)端的負(fù)載調(diào)制信號(hào)DIN的電壓值來(lái)實(shí)現(xiàn)負(fù)載調(diào)制。負(fù)載調(diào)制信號(hào)DIN由數(shù)字電路提供和控制。

所述負(fù)載調(diào)制電路由NMOS晶體管MN1、MN2和MN3，PMOS晶體管MP1，反相器INV1和反相器INV2組成。

NMOS晶體管MN1的漏極與耦合電路的電感L2的一端相連接，該連接的節(jié)點(diǎn)作為天線的一連接端ANT1端；NMOS晶體管MN2的漏極與耦合電路的電感L2的另一端相連接，該連接的節(jié)點(diǎn)作為天線的另一連接端ANT2端；NMOS晶體管MN1的源極與NMOS晶體管MN2的源極接地。NMOS晶體管MN1的柵極與NMOS晶體管MN2的柵極相連接，其連接的節(jié)點(diǎn)設(shè)為A。