[發明專利]表面保護部件以及加工方法

有效

• 申請號: 201310446641.5
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN103700584B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 卡爾·海因茨·普利瓦西爾
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黨曉林;王小東

1.一種表面保護部件，是保護晶片的表面的表面保護部件，上述晶片在表面具有器件區域和外周剩余區域，上述器件區域是形成有多個器件的區域，上述外周剩余區域是圍繞上述器件區域的區域，

上述表面保護部件的特征在于，具有：

圓板狀基座，其表面具有比晶片的上述器件區域大且比晶片尺寸小的尺寸的凹部，該圓板狀基座具有包含晶片直徑的直徑；以及

凹凸吸收部件，其配設于上述凹部中，由具有柔性以及彈性的樹脂或陶瓷形成。

2.一種加工方法，是使用權利要求1所述的表面保護部件來對晶片進行加工的加工方法，上述晶片在表面具有器件區域和外周剩余區域，上述器件區域是形成有多個器件的區域，上述外周剩余區域是圍繞上述器件區域的區域，

上述加工方法的特征在于，具有：

固定步驟，使晶片的上述器件區域與上述表面保護部件的上述凹凸吸收部件對應地將晶片配設到上述表面保護部件上，并且將粘接劑配設到上述器件區域的外側，將上述表面保護部件和晶片固定；

磨削步驟，在實施了上述固定步驟后，將上述表面保護部件側保持在保持工作臺上而使晶片的背面露出，并且通過磨削構件來磨削晶片從而薄化至預定的厚度；以及

除去步驟，在實施了上述磨削步驟后，從晶片上除去上述表面保護部件。

3.根據權利要求2所述的加工方法，其特征在于，

上述粘接劑是粘接力通過外界刺激而下降的粘接劑，

在上述除去步驟中，在對上述粘接劑施加外界刺激而降低上述粘接劑的粘接力之后，從晶片上除去上述表面保護部件。

4.根據權利要求2所述的加工方法，其特征在于，

在上述除去步驟中，在上述器件區域和上述粘接劑之間至少將晶片完全切斷之后，從晶片上除去上述表面保護部件。