[發明專利]打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法在審
| 申請號： | 201310445518.1 | 申請日： | 2013-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN104516008A | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發明（設計）人： | 劉建忠;王勇;劉倍;徐園;劉惠英 | 申請（專利權）人： | 中國輻射防護研究院 |
| 主分類號： | G01T1/18 | 分類號： | G01T1/18 |
| 代理公司： | 北京天悅專利代理事務所(普通合伙)11311 | 代理人： | 田明;任曉航 |
| 地址： | 030006*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 打孔 補償 he 正比計數器 中子 能量 響應 方法 | ||
1.一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，包括以下步驟：在3He正比計數器外包裹一層鎘的薄片，所述的鎘薄片表面打有一定數量的孔洞。
2.如權利要求1所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的鎘薄片的厚度在1～5㎜范圍內。
3.如權利要求2所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的鎘薄片的厚度在2.5～3㎜范圍內。
4.如權利要求1所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的孔洞的直徑為2～10㎜。
5.如權利要求4所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的孔洞的直徑為4～5㎜。
6.如權利要求1所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的孔洞的總面積占整個鎘薄片面積的10～20%。
7.如權利要求6所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的孔洞的總面積占整個鎘薄片面積的14～15%。
8.如權利要求1所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的鎘薄片直接包裹在正比計數器外。
9.如權利要求1所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的鎘薄片與正比計數器間填充有慢化材料，所述的鎘薄片與3He正比計數器之間的距離不超過30㎜。
10.如權利要求1所述的一種打孔鎘片補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：使用金屬鎘制成薄片，其厚度用蒙卡的方法計算后確定，并將鎘片加工成與探測器相似形狀，孔的直徑和數量也用蒙卡的方法計算后確定。
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