[發明專利]含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法在審
| 申請號： | 201310445498.8 | 申請日： | 2013-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN104516023A | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發明（設計）人： | 劉建忠;王勇;劉倍;徐園;劉惠英 | 申請（專利權）人： | 中國輻射防護研究院 |
| 主分類號： | G01V3/00 | 分類號： | G01V3/00 |
| 代理公司： | 北京天悅專利代理事務所(普通合伙)11311 | 代理人： | 田明;任曉航 |
| 地址： | 030006*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚乙烯 補償 he 正比計數器 中子 能量 響應 方法 | ||
1.一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，包括以下步驟：在3He正比計數器外包裹一層含硼聚乙烯的薄片，所述的含硼聚乙烯薄片表面打有一定數量的孔洞。
2.如權利要求1所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的含硼聚乙烯薄片的厚度在3～10㎜之間。
3.如權利要求2所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的含硼聚乙烯薄片的厚度在6～7㎜之間。
4.如權利要求1所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：在含硼聚乙烯薄片上均勻打有直徑為2～10㎜的孔洞。
5.如權利要求4所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：孔洞的直徑為3～4㎜。
6.如權利要求1所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述孔洞的總面積占整個含硼聚乙烯薄片面積的10～20%。
7.如權利要求6所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述孔洞的總面積占整個含硼聚乙烯薄片面積的14～15%。
8.如權利要求1所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的含硼聚乙烯薄片直接包裹在正比計數器外。
9.如權利要求1所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：所述的含硼聚乙烯薄片與正比計數器之間填充有慢化材料，所述的含硼聚乙烯薄片與3He正比計數器之間的距離不超過30㎜。
10.如權利要求1所述的一種含硼聚乙烯補償3He正比計數器中子能量響應的方法，其特征是：使用含硼聚乙烯制成薄片，其厚度用蒙卡的方法計算后確定，并將含硼聚乙烯加工成與探測器相同的形狀，并將含硼聚乙烯包裹在中子探測器外面，孔洞的直徑和數量也用蒙卡的方法計算后確定。
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