[發明專利]小磨香油生產用芝麻淘洗瀝干裝置

有效

• 申請號: 201310445415.5
• 申請日: 2013-09-26
• 公開（公告）號: CN104513705B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 龐景生;夏方誼;曹紅英;趙紅云;楊忠欣
• 申請（專利權）人: 瑞福油脂股份有限公司
• 主分類號: A23N12/06
• 分類號: A23N12/06;C11B1/04;A23D9/00
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙)11411
• 代理人: 鄭自群

技術領域

本發明涉及小磨香油生產設備技術領域，特別是指一種小磨香油生產過程中用于對芝麻進行淘洗瀝干的裝置。

背景技術

小磨香油是人們日常生活中極佳的調味品，具有極高的營養價值和保健作用。小磨香油是通過小石磨（直徑500mm--1000mm）對芝麻進行低溫磨制，而且石磨磨制的整個過程只有65攝氏度左右，在這一溫度下，香油中的主要芳香物質及功能性營養成分幾乎不受任何損失。這些經過磨制流程研磨出來的物質叫做醬胚，要提煉香油的話必須在醬胚中倒入一定比例的優質飲用水，利用油料中非油成分對水和油的親和力不同，另外加上油水密度差，在經過反復物理攪拌后，不斷地將油和親水性蛋白質、碳水化合物等分開，將油置換出來，這就是所謂的“水代法”小磨香油。

水代法生產小磨香油是我國獨特的傳統的芝麻香油生產工藝，具有其他制油方法生產的芝麻油無法媲美的風味和品質。在通常的水代法小磨香油生產中，首先是對芝麻進行淘洗，將其中的雜物去除，然后對芝麻進行瀝干，使芝麻中所含的水分降到一定比例，然后對芝麻進行焙炒，最后對芝麻進行研磨、攪油、墩油、晃油即可。

但現有技術中，在對芝麻進行清洗時，芝麻由于自身的浮力會漂浮在水面之上，在清洗時芝麻之間很容易發生碰撞，導致芝麻結構損壞，后期的加工過程中極易影響小磨香油的質量。而且在焙炒之前，芝麻內的水分需瀝干到一定比例，才能保證后期小磨香油的質量，因此，現階段亟需一種能夠保證芝麻結構不被損壞的淘洗機以及淘洗之后對芝麻進行瀝干的裝置。

發明內容

本發明提出一種小磨香油生產用芝麻淘洗瀝干裝置，解決了現有技術中芝麻淘洗時容易發生損壞的問題。

本發明的技術方案是這樣實現的：小磨香油生產用芝麻淘洗瀝干裝置，包括：

淘洗箱，其一端部設有芝麻輸入管和進水管，另一端部設有排出管；

絞龍，水平設置于所述淘洗箱內，所述絞龍由減速電機驅動旋轉，用于將漂浮在水面上的芝麻向所述排出管輸送；

瀝干機，設置于所述排出管下方，用于對淘洗后的芝麻進行瀝干。

作為一種優選的實施方式，所述絞龍的絞龍軸末段為空心段，所述絞龍的空心段與所述排出管連通，所述絞龍軸的空心段上開有凹槽，所述凹槽的高度小于所述絞龍軸的半徑。

作為一種優選的實施方式，所述瀝干機包括具有開口的瀝干架，所述瀝干架的底面鋪設有瀝干網，所述瀝干網傾斜設置，其較高一端位于所述瀝干架的開口處。

作為一種優選的實施方式，所述淘洗箱的底面上設有可開合的排沙口。

采用了上述技術方案后，本發明的有益效果是：該淘洗瀝干裝置工作時，芝麻輸入管不斷向淘洗箱內輸送芝麻，進水管不斷地向淘洗箱內注水，此時，芝麻內較重的雜物會沉積到淘洗箱底部，而芝麻會漂浮在水面上。同時由于絞龍的轉動作用，漂浮在水面的芝麻會被不斷地、緩慢的向前輸送，最終到達排出管處并被排出落到瀝干機上進行瀝干，在這個輸送過程中，由于所有的芝麻是同向輸送，整體的運動方向是一致的，所以相互之間不會發生碰撞的問題，能夠保證芝麻的結構不會發生損壞。

在絞龍軸轉動時，其空心段上開設的凹槽即相當于一個舀子，將漂浮在水面最上層的芝麻收集到絞龍軸的內腔內，然后從排出管排出，這樣能夠避免將那些重量較輕，漂浮在芝麻下層的雜物收集起來，保證排出芝麻的純度。

由于瀝干架的底面鋪設了瀝干網，而且該瀝干網的較高一端位于瀝干架的開口處，芝麻在從排出管落到瀝干網上后不會滑落，芝麻內所含的水分在重力作用下不斷地從瀝干網滲透下去，等芝麻內的水分滲落到一定程度后，工作人員只需將位于瀝干架開口處的芝麻不斷地撥下即可，這樣在保證芝麻不被損壞的前提下能夠使芝麻所含水分達到一定比例，保證后期生產出小磨香油的質量。

由于在淘洗箱的底面上開設了可開合的排沙口，在淘洗箱長時間使用后，其底部必然會積聚很多的雜物，此時即可停止對芝麻的淘洗，打開排沙口將雜物排出，然后再關閉排沙口，繼續對芝麻進行淘洗。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明一種實施例的結構示意圖；

圖2為淘洗箱的內部結構示意圖；

圖3為瀝干機的結構示意圖；

圖4為圖2中I處的局部放大示意圖；