[發明專利]一種鋯鋁酸鹽發光薄膜及其制備方法和應用

無效

• 申請號: 201310442619.3
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN104449719A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種鋯鋁酸鹽發光薄膜，其特征在于，結構式為Me₂Zr_4-x-yAl₁₀O₂₄：xCe³⁺,yTb³⁺，其中Me為La、Gd、Yb或Lu，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.01～0.08。

2.如權利要求1所述的鋯鋁酸鹽發光薄膜，其特征在于，x的取值為0.02，y的取值為0.04。

3.權利要求1所述的鋯鋁酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述發光薄膜的厚度為80～300nm。

4.一種鋯鋁酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

以摩爾比為2:(4-x-y):10:x:y的四甲基庚二酮酸稀土化合物、雙（環戊二烯基）二氯化鋯、三甲基鋁、四甲基庚二酮酸鈰和四甲基庚二酮酸鋱為反應源；

在真空度為1.0×10^-3～1.0×10^-2Pa的氣相沉積設備中，將襯底轉速設置為50～1000轉/分，通入含有反應源的惰性氣體，氣流量為5～15sccm，再通入氧氣，在所述襯底上沉積得到所述鋯鋁酸鹽發光薄膜；

所述鋯鋁酸鹽發光薄膜的結構式為Me₂Zr_4-x-yAl₁₀O₂₄：xCe³⁺,yTb³⁺，其中Me為La、Gd、Yb或Lu，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.01～0.08。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，x的取值為0.02，y的取值為0.04。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述四甲基庚二酮酸稀土化合物為四甲基庚二酮酸鑭、四甲基庚二酮酸釓、四甲基庚二酮酸鐿或四甲基庚二酮酸镥。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述氧氣的氣流量為10～200sccm。

8.一種薄膜電致發光器件，包括襯底、發光層和陰極，其特征在于，所述發光層的材質為鋯鋁酸鹽發光薄膜，所述鋯鋁酸鹽發光薄膜的結構式為Me₂Zr_4-x-yAl₁₀O₂₄：xCe³⁺,yTb³⁺，其中Me為La、Gd、Yb或Lu，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.01～0.08。

9.如權利要求8所述的薄膜電致發光器件，其特征在于，x的取值為0.02，y的取值為0.04。

10.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供清潔的襯底；

以摩爾比為2:(4-x-y):10:x:y的四甲基庚二酮酸稀土化合物、雙（環戊二烯基）二氯化鋯、三甲基鋁、四甲基庚二酮酸鈰和四甲基庚二酮酸鋱為反應源；

在真空度為1.0×10^-3～1.0×10^-2Pa的氣相沉積設備中，將襯底轉速設置為50～1000轉/分，通入含有反應源的惰性氣體，氣流量為5～15sccm，再通入氧氣，在所述襯底上沉積得到所述鋯鋁酸鹽發光薄膜，所述鋯鋁酸鹽發光薄膜的結構式為Me₂Zr_4-x-yAl₁₀O₂₄：xCe³⁺,yTb³⁺，其中Me為La、Gd、Yb或Lu，x的取值范圍為0.01～0.05，y的取值范圍為0.01～0.08；

繼續通入氧氣，待溫度降到100℃以下后取出，在所述發光薄膜上蒸鍍陰極；

以上步驟完成后，得到所述薄膜電致發光器件。