[發明專利]一種繞制電抗器

無效

• 申請號: 201310442386.7
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN103489593A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 沈永福
• 申請（專利權）人: 蘇州康開電氣有限公司
• 主分類號: H01F27/30
• 分類號: H01F27/30;H01F27/24;H01F27/28
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛

技術領域

?本發明涉及一種電抗器，具體地涉及一種繞制電抗器。

背景技術

電抗器也叫電感器，或者稱為感抗器。一個導體通電時就會在其所占據的一定空間范圍產生磁場，所以所有能載流的電導體都有一般意義上的電感，然而通電長直導體的電感較小，所產生的磁場不強，因此實際的電抗器是導線繞成螺線管形式，稱空心電抗器；有時為了讓這只螺線管具有更大的電感，便在螺線管中插入鐵心，稱鐵心電抗器。

鐵心電抗器主要構件是線圈和鐵芯，起到改善電壓分布、穩態電壓、平衡無功功率等功能。電抗器常用的線圈由圓形截面的金屬導線繞制而成，雖然圓形截面的導線繞制線圈方便、快捷、效率高，然而線圈縫隙較大，導致漏磁現象較嚴重。

授權公告號為CN?102044330B的中國發明專利公開了一種線圈，由多根金屬線構成的繞組的卷繞終端側的繞組及卷繞始端側的繞組的一方從內周側朝外周側卷繞，而另一方從內周側朝外周側引出，所述多根金屬線沿縱向層疊的狀態一起卷繞，在所述卷繞終端側的繞組與所述卷繞始端側的繞組的交叉部分，使該多根金屬線沿橫向放平的狀態重疊并交叉。這樣的線圈能夠大幅度地降低交叉部分的高度，形成為與其他區域相同的高度，然而利用該線圈制得的電抗器漏磁現象嚴重。

發明內容

本發明目的是為了克服現有技術的不足而提供一種有效減少漏磁的繞制電抗器。

為達到上述目的，本發明所采用的技術方案為：一種繞制電抗器，包括鐵芯、至少一個繞設在所述的鐵芯上的線圈，所述的線圈由截面為矩形的扁平導線環繞一軸線繞制成空心并具有內壁和外壁的螺旋狀，所述的扁平導線的外周面由兩個相對的寬邊側面和兩個相對的窄邊側面組成，其中相鄰的一個所述的寬邊側面和一個所述的窄邊側面具有一共同的長側邊，寬邊側面中與所述的長側邊相鄰的另一側邊為其寬側邊，所述的窄邊側面中與所述的長側邊相鄰的另一側邊的為其窄側邊，所述的寬側邊的長度大于所述的窄側邊的長度，其特征在于：所述的窄邊側面形成所述的螺旋狀的線圈的內壁和外壁，所述的寬邊側面與所述的螺旋狀的線圈的軸線垂直。

優化地，所述的鐵芯呈“日”字形，包括相平行設置的中柱、兩根邊柱，所述的線圈繞設在所述的中柱和邊柱上。?

進一步地，所述的線圈截面呈圓形、橢圓形或者方形。

進一步地，所述的線圈為大于2匝。

由于上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點：本發明繞制電抗器，由于線圈采用扁平金屬導線繞制成具有內壁和外壁的螺旋狀，并且扁平金屬導線的窄邊側面形成螺旋狀的線圈的內壁和外壁，寬邊側面與線圈的軸線垂直，一方面能夠提高線圈繞制的緊密程度，減少電抗器的漏磁，穩定電壓；另一方面提高了線圈輻向機械強度，提高了電抗器的過載能力，延長了電抗器的使用壽命。

附圖說明

附圖1為本發明繞制電抗器主視圖；

附圖2為本發明繞制電抗器左視圖；

其中：1、鐵芯；11、邊柱；12、中柱；2、線圈；21、寬邊側面；22、窄邊側面。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明優選實施方案進行詳細說明。

如圖1和圖2所示的繞制電抗器，主要包括鐵芯1和繞設于鐵芯1上的線圈2。其中，線圈2具有相互平行的內壁和外壁，由扁平導線環繞一軸線繞制成空心螺旋狀。扁平導線的截面為矩形，其外周面由四個側面兩兩連接圍繞而成，其中兩個相對的側面為寬邊側面1，另外兩個為窄邊側面2，寬邊側面1是由寬側邊a和長側邊c圍成的矩形，窄邊側面2是由窄側邊b和長側邊c圍成的矩形，寬邊側面1和窄邊側面2具有共同的長側邊c，而寬側邊a的長度大于窄側邊b的長度，窄邊側面2形成螺旋狀線圈的內壁和外壁，寬邊側面1與螺旋狀線圈的軸線垂直。由于寬側邊a的長度大于窄側邊b的長度，增加了線圈輻向機械強度，提高了電抗器的過載能力，延長了電抗器的使用壽命；而且線圈每匝間排列緊密，減少電抗器的漏磁，穩定電壓。

在本實施例中，鐵芯1呈“日”字形，包括相平行設置的中柱12、兩根邊柱11；線圈2繞設于邊柱11、中柱12上。在使用時，可以根據鐵芯的不同形狀，繞制不同形狀的線圈。空心圈體3截面呈圓形，繞設于截面為矩形的中柱12和邊柱11上。另外，由于不同線圈匝數平方的電壓是一樣的，可以將線圈設置不同的匝數來達到調節電壓的目的。在本實施例中，空心圈體匝數優化為大于2匝。

上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容并據以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。