[發明專利]用于基底的非原位分析的系統和方法

有效

• 申請號: 201310440696.5
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN103675358B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: T.G.米勒;J.阿加瓦奇;D.希爾;M.斯特勞斯;G.N.A.范韋恩
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: G01Q30/20
• 分類號: G01Q30/20;H01L21/302
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐紅燕;馬永利

1.一種用于非原位TEM/STEM/SEM分析的方法，包括：

用聚焦離子束在真空室內制作樣品，其中，所述樣品具有不對稱TEM垂直觀察側；

所述樣品具有用于TEM/STEM/SEM分析的相關區；

從該真空室移出所述樣品并將其放置在包含碳膜的碳柵格上；

所述碳膜包括至少2 μm的孔；

將所述樣品放置該碳柵格上，其中，該不對稱TEM垂直觀察側被定向垂直TEM束路徑方向；以及

定向所述樣品包括觀察不對稱TEM垂直觀察側的不對稱性使得在所述樣品中正確地定向相關區以鋪設在至少2 μm的所述孔之一上。

2.如權利要求1所述的方法，進一步包括用帶有電子源的TEM或SEM或STEM加工所述樣品，其中，受到所述碳膜極少或沒有受到碳膜的光學或光譜干擾。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述不對稱TEM垂直觀察側為帶有兩條平行邊的凸四邊形。

4.如權利要求3所述的方法，其中，所述不對稱TEM垂直觀察側是直角梯形。

5.如權利要求1至4任意一項所述的方法，其中，該碳柵格的所述多個孔為至少5 × 5μm。

6.如權利要求1至4任意一項所述的方法，其中，該相關區長度為至少2 μm。

7.如權利要求1至4任意一項所述的方法，其中，用玻璃棒完成從所述真空室移出所述樣品以及將所述樣品放置在所述碳柵格上。

8.如權利要求1至4任意一項所述的方法，其中，通過包括聚焦離子束和電子束的雙聚焦束系統完成該不對稱TEM垂直觀察側的制作。

9.如權利要求2所述的方法，其中，所述用帶有電子源的TEM或SEM或STEM加工所述樣品包括利用EDS或EELS的化學分析。

10.一種用于在TEM或SEM或STEM分析中使用的薄層，包括：

具有不大于1 μm的厚度的基底；

所述基底具有至少2 μm寬的相關區以及具有在1和2之間的寬長比；

所述相關區能夠被放置在碳膜的小孔上，使得所述相關區的TEM或SEM或STEM分析產生極少或不產生光學或光譜干擾；

所述基底具有大到足夠被玻璃棒撿起的面積；

其中，當觀察寬度和長度時所述基底具有不對稱形狀，所述不對稱形狀具有兩條平行邊和兩條不平行邊并且適于當觀看垂直TEM束路徑的邊時使其定向被認知以定向基底以將所述相關區放置在碳膜的小孔上。

11.一種用于TEM/SEM/STEM分析的系統，包括：

包括至少一條聚焦離子束的真空室；

用于放置樣品的臺，其中，所述臺和聚焦離子束被配置相互成一定角度，從而使得所述樣品的加工產生樣品形狀，該樣品形狀具有不對稱TEM垂直觀察側（27），其適于當觀察不對稱TEM垂直觀察側的不對稱性時當被定向垂直TEM束路徑方向時使其定向被認知以使得能夠正確地定向樣品以將相關區放置在碳膜的小孔上；

具有碳膜的碳柵格，其中，所述碳膜具有能夠擬合所述樣品的相關區的孔，其中，所述相關區的所述TEM或SEM或STEM分析產生極少或不產生光學和光譜干擾。

12.如權利要求11所述的系統，其中，所述真空室還包括電子束。

13.如權利要求11或權利要求12所述的系統，其中，所述真空室包括兩條聚焦離子束。