[發明專利]一種雜化白光有機電致發光器件

有效

• 申請號: 201310440421.1
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN103490017A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 鄒建華;劉佰全;徐苗;陶洪;王磊;彭俊彪
• 申請（專利權）人: 廣州新視界光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 趙蕊紅

1.一種雜化白光有機電致發光器件，設置有基板、陽極、陰極以及介于所述陽極與所述陰極之間的有機功能層，所述有機功能層設有發光層，所述發光層至少包括一層藍色熒光發光層、至少一層與藍光形成互補色的磷光發光層和至少一層間隔層，所述藍色熒光發光層與所述磷光發光層通過所述間隔層隔開，其特征在于：所述間隔層含有主體材料和客體摻雜劑，所述客體摻雜劑摻雜于所述主體材料，所述主體材料為有機半導體材料，所述客體摻雜劑為無機材料。

2.根據權利要求1所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述主體材料為p型有機半導體材料，所述客體摻雜劑為能夠形成n型摻雜層的無機材料。

3.根據權利要求1所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述主體材料為n型有機半導體材料，所述客體摻雜劑為能夠形成p型摻雜層的無機材料。

4.根據權利要求1所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述主體材料為雙極性型有機半導體材料，所述客體摻雜劑為能夠形成n型摻雜層的無機材料或者為能夠形成p型摻雜層的無機材料。

5.根據權利要求1所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：

所述主體材料為n型有機半導體材料、p型有機半導體材料或者雙極性有機半導體材料；

當所述主體材料為n型有機半導體材料時，n型有機半導體材料為由金屬配合物或者由含雙鍵N的雜環芳香有機化合物制備而成，具體為B3PyPB、B3PyMPm、B4PyMPm、InmND₃、GamND₃、AlmND₃、3TPYMB、SPPO1、Tm3PyPB、Al(DBM)₃、DPPS?、TpPyPB?、BCP、TmPyPB、TAZ、Alq₃、Bepp₂、TPBi、Bebq₂、BAlq、BAlq₃、Gaq₃、Liq、UGH1、UGH2、UGH3、Bphen、OXD-7或NBphen中的至少一種；

當所述主體材料為p型有機半導體材料時，p型有機半導體材料為三級芳香胺類材料，具體為DNTPD、HAT-CN、NPB、NPD、TPD、MeO-TPD、C60、ZnPc、NiPc、CoPC、PbPc、Ir(ppz)₃、CuPc、TAPC、m-MTDATA、TCTA、mCP、2-NATA或者Spiro-TAD中的至少一種；

當所述主體材料為雙極性有機半導體材料時，具體為CBP、MADN或者26DCzPPy中的至少一種。

6.根據權利要求1或4所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述能夠形成n型摻雜層的無機材料為具有低功函數的金屬單質，具體為銫單質、鈉單質、鉀單質、鎂單質、鋰單質、鋅單質、鈣單質、鍶單質或者釤單質中的至少一種。

7.根據權利要求1或4所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述能夠形成n型摻雜層的無機材料為堿金屬化合物，具體為氧化鋰、氧化鋰硼、硅酸鉀、碳酸鉀、硼氫化鉀、碳酸銣、堿金屬氯化物或者堿金屬氟化物中的至少一種。

8.根據權利要求1或4所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述能夠形成n型摻雜層的為在熱蒸鍍時會發生裂解或者反應而釋放出低功函數金屬的無機物，具體為堿金屬醋酸鹽、MgCl、ZnO、CaCl₂、Si3N₄或者SiC_x中的至少一種。

9.根據權利要求2或4所述的雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述能夠形成p型摻雜層的無機材料為氧化性材料，具體為碘單質、Fe₃O₄、FeCl₃、SbCl₅、SnCl₅、SiO₂?、I₂O₅、MoO₃、V₂O₅、WO₃、TiO₂、CuO、Cu₂O、NiO、ReO₃、Mo(tfd)₃、ReO₇或者Ag₂O中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的一種雜化白光有機電致發光器件，其特征在于：所述間隔層的厚度為0.05至20nm。