[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310439080.6
• 申請(qǐng)日: 2013-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN103681994B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李光七;樸仲緒;李泰林;崔云慶;金敬訓(xùn);樸海進(jìn);尹歡喜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?李玉鎖

1.一種發(fā)光裝置，包括：

有源層，用于發(fā)射光；以及

透光層，設(shè)置于所述有源層上，所述透光層具有面對(duì)所述有源層的下部，

其中所述透光層的側(cè)部和上部具有經(jīng)表面處理的圖案部分；

所述經(jīng)表面處理的圖案部分僅設(shè)置在全內(nèi)反射區(qū)，所述全內(nèi)反射區(qū)被如下限定：

其中‘y’代表所述透光層在厚度方向上的位置，‘x’代表所述透光層在寬度方向上的位置，‘a(chǎn)’代表所述有源層的寬度，b₁代表所述透光層的下表面的寬度，θ_TIR代表所述透光層的全內(nèi)反射角，以及h代表所述透光層的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述有源層發(fā)射具有200nm至405nm的波長帶的光。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中所述圖案部分經(jīng)過表面處理，以提供隨機(jī)粗糙度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中所述表面處理包括研磨、拋光、激光劃片、濕法蝕刻和干法蝕刻中的至少一種，

其中，當(dāng)所述表面處理包括研磨和拋光中的至少一種時(shí)，所述隨機(jī)粗糙度的粗糙度水平與拋光顆粒尺寸成比例。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中所述圖案部分被表面處理，使得所述透光層的上表面和下表面具有彼此不同的面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其中所述透光層包括：

下切割部分，具有與所述下表面相同形狀的水平剖面；和

上切割部分，設(shè)置于所述下切割部分上，且具有在下切割部分的上表面與所述透光層的上表面之間的多個(gè)不同的水平剖面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其中所述上切割部分的側(cè)部具有至少一個(gè)斜平面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中所述斜平面的表面具有粗糙度，或所述斜平面具有外側(cè)的凹曲率或凸曲率。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中下面的關(guān)系存在于所述透光層的下表面的寬度和上表面的寬度之間，

b₁-b₂＝2d tanθ₁

其中b₁代表所述下表面的寬度，b₂代表所述上表面的寬度，‘d’代表所述上切割部分的厚度，以及θ₁代表所述斜平面的傾角。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中所述透光層具有50μm至250μm的寬度，所述下切割部分具有25μm至100μm的厚度，以及所述斜平面具有30°至40°的傾角。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其中所述上切割部分具有截頭的金字塔形狀，所述上切割部分具有在其邊緣處的至少一個(gè)突起，或所述上切割部分具有截頭的倒金字塔形。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述透光層的上部具有作為圖案部分的均勻凹凸。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括：

襯底；

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述襯底與所述有源層之間；以及

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述有源層上，

其中所述透光層包括所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電型電極層，

其中所述透光層進(jìn)一步包括所述第二導(dǎo)電型電極層。