[發(fā)明專利]多晶硅表面處理方法及系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310439014.9
• 申請日: 2013-09-24
• 公開（公告）號: CN104465347A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聞?wù)h;樂雙申;馬萬里;趙文魁
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/321
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種多晶硅表面處理方法，應(yīng)用于利用多晶硅的進行產(chǎn)品生產(chǎn)的工藝，其特征在于，所述多晶硅表面處理方法包括以下步驟：

在所述多晶硅的表面向所述多晶硅內(nèi)部生成設(shè)定厚度的氧化層；

執(zhí)行去氧化層操作，使得多晶硅達到預(yù)設(shè)厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅表面處理方法，其特征在于，所述在所述多晶硅的表面向所述多晶硅內(nèi)部生成設(shè)定厚度的氧化層具體為：

在距離所述多晶硅為設(shè)定位置處設(shè)置氧化控制片；

對所述多晶硅和氧化控制片進行氧化操作；

當(dāng)通過檢測所述氧化控制片的氧化層的厚度得知所述多晶硅的氧化層的厚度達到設(shè)定值時，停止氧化操作。

3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅表面處理方法，其特征在于，所述氧化控制片為本征態(tài)材料。

4.如權(quán)利要求3所述的多晶硅表面處理方法，其特征在于，所述本征態(tài)材料為單晶硅。

5.如權(quán)利要求1所述的多晶硅表面處理方法，其特征在于，所述氧化層通過干法氧化生成。

6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅表面處理方法，其特征在于，所述執(zhí)行去氧化層操作，使得多晶硅達到預(yù)設(shè)厚度具體為：

將包括設(shè)定厚度的氧化層的所述多晶硅置于漂洗設(shè)備中；

在所述漂洗設(shè)備中放入漂洗液，漂洗所述多晶硅至預(yù)設(shè)厚度。

7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅表面處理方法，其特征在于，所述漂洗液為氫氟酸溶液，所述氫氟酸溶液的濃度為100:1，對所述氧化層的蝕刻速率是0.7-1.3埃/秒。

8.一種多晶硅表面處理系統(tǒng)，應(yīng)用于利用多晶硅的進行產(chǎn)品生產(chǎn)的工藝，

其特征在于，所述多晶硅表面處理裝置包括：

氧化層生成單元，用于在所述多晶硅的表面向所述多晶硅內(nèi)部生成設(shè)定厚度的氧化層；

去氧化層單元，用于執(zhí)行去氧化層操作，使得多晶硅達到預(yù)設(shè)厚度。

9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅表面處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氧化成生層單元包括：

控制片設(shè)置單元，用于在距離所述多晶硅為設(shè)定位置處設(shè)置氧化控制片；

氧化單元，用于對所述多晶硅和氧化控制片進行氧化操作；

氧化層控制單元，用于當(dāng)通過檢測所述氧化控制片的氧化層的厚度得知所述多晶硅的氧化層的厚度達到設(shè)定值時，停止氧化操作。

10.如權(quán)利要求8所述的多晶硅表面處理系統(tǒng)，其特征在于，所述去氧化層單元包括：

移位單元，用于將包括設(shè)定厚度的氧化層的所述多晶硅置于漂洗設(shè)備中；

漂洗單元，用于在所述漂洗設(shè)備中放入漂洗液，漂洗所述多晶硅至預(yù)設(shè)厚度。