[發明專利]重復性缺陷的分析方法

有效

• 申請號: 201310438764.4
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN104465433B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 高燕;董天化;朱賽亞;曾紅林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種重復性缺陷的分析方法，包括：

進行前端分析，鎖定可疑光罩；

提供進行實驗的晶片，并將所述晶片分為第一組和第二組；

對所述第一組晶片按照原始曝光程序進行曝光，獲得第一圖形；

對所述第二組晶片按照修改后的曝光程序進行曝光，獲得第二圖形；

比較所述第一圖形和第二圖形，以確定造成重復性缺陷的光罩；

其中，所述修改后的曝光程序能夠使得獲得的第二圖形相對第一圖形移位。

2.如權利要求1所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述第一組晶片和第二組晶片在進行所述曝光前和曝光后所經工藝完全相同。

3.如權利要求1所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述修改后的曝光程序包括：

在曝光時，使得每次曝光的曝光單元朝同一方向偏移若干個晶粒的距離。

4.如權利要求3所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述方向偏移為沿垂直或平行所述重復性缺陷的排列方向進行偏移。

5.如權利要求3所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述偏移的距離為大于等于1個晶粒的距離，小于等于所述曝光單元在行方向或列方向的晶粒數量的距離。

6.如權利要求3所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述比較所述第一圖形和第二圖形，以確定造成重復性缺陷的光罩的判斷標準包括：

若所述第一圖形和第二圖形皆有重復性缺陷，且所述第二圖形的重復性缺陷相比第一圖形的重復性缺陷也發生所述偏移，則所述重復性缺陷由所述可疑光罩造成。

7.如權利要求6所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述比較所述第一圖形和第二圖形，以確定造成重復性缺陷的光罩的判斷標準還包括：

若所述第一圖形和第二圖形皆有重復性缺陷，但不發生所述偏移，則所述重復性缺陷由其他光罩造成。

8.如權利要求1所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述進行前端分析，鎖定可疑光罩包括：

進行技術分析，以確定待分析缺陷是所述重復性缺陷，確定工藝過程所涉及的相關光罩并鎖定可疑光罩；

進行技術檢測，以確定所述可疑光罩處于“檢測正常”狀態。

9.如權利要求8所述的重復性缺陷的分析方法，其特征在于，所述“檢測正常”狀態為采用IRIS設備或者STARlight設備進行檢測后發現所述可疑光罩良好。