[發明專利]一種發光二極管的PN結及其制造方法

無效

• 申請號: 201310438745.1
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN103560184A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 李世彬;張婷
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/32
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種制造發光二極管的PN結方法，其特征在于，包括：

獲取基底材料；

在所述基底材料上形成硅摻雜氮化物層；

在所述硅摻雜氮化物層上形成鎂摻雜金屬氮化物層，其中所述鎂摻雜金屬氮化物層中金屬組分含量從靠近所述硅摻雜氮化物層的部分到遠離所述硅摻雜氮化物層的部分從零開始線性增加。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底材料包括藍寶石、碳化硅或者金剛石。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底材料上形成硅摻雜氮化物層的步驟包括：使用金屬有機化學氣相沉積法或者分子束外延生長法在所述基底材料上形成硅摻雜氮化物層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅摻雜氮化物層為半絕緣氮面極化[0001]晶向。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅摻雜氮化物層上形成鎂摻雜金屬氮化物層的步驟包括：

將形成了所述硅摻雜氮化物層的所述基底材料放置于分子束外延生長儀中；

向所述分子束外延生長儀中通入金屬分子束、氮等離子體和鎂分子束，使所述金屬分子束的流量從零開始線性增加，并且使所述鎂分子束的流量保持不變。

6.如權利要求1-4中任意一項所述的方法，其特征在于：所述硅摻雜氮化物層為硅摻雜氮化鎵層。

7.如權利要求1-4中任意一項所述的方法，其特征在于：所述鎂摻雜金屬氮化物層為鎂摻雜鋁鎵氮層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述硅摻雜氮化物層上形成鎂摻雜金屬氮化物層的步驟包括：

將形成了所述硅摻雜氮化物層的所述基底材料放置于分子束外延生長儀中；

向所述分子束外延生長儀中通入鋁分子束、鎵分子束、氮等離子體和鎂分子束，使所述鋁分子束的流量從零開始線性增加，并且使所述鎂分子束的流量保持不變。

9.一種發光二極管的PN結，其特征在于，包括：

基底材料；

硅摻雜氮化物層，所述硅摻雜氮化物層形成在所述基底材料上；

鎂摻雜金屬氮化物層，所述鎂摻雜金屬氮化物層形成在在所述硅摻雜氮化物層上，其中所述鎂摻雜金屬氮化物層中金屬組分含量從靠近所述硅摻雜氮化物層的部分到遠離所述硅摻雜氮化物層的部分從零開始線性增加。

10.一種發光二極管的PN結，其特征在于，包括：

基底材料；

硅摻雜氮化鎵層，所述硅摻雜氮化鎵層形成在所述基底材料上；

鎂摻雜鋁鎵氮層，所述鎂摻雜鋁鎵氮層形成在所述硅摻雜氮化鎵層上，其中所述鎂摻雜鋁鎵氮層中鋁組分含量從靠近所述硅摻雜氮化鎵層的部分到遠離所述硅摻雜氮化鎵的部分從零開始線性增加。