[發明專利]無源器件結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201310438676.4
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN104465629B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 唐麗賢;包小燕;董天化;霍燕麗;杜海;黃濤
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種無源器件結構，包括：

前層、電容結構、連接線以及層間介質層；其中，所述電容結構形成于所述前層的表面，所述電容結構表面形成有電荷吸附層，所述連接線與所述電容結構電連接，所述電荷吸附層與所述連接線的側壁緊貼，層間介質層形成于所述前層和電荷吸附層的表面，并隔離所述連接線。

2.如權利要求1所述的無源器件結構，其特征在于，所述電容結構包括下極板、上極板以及介質層，所述介質層形成于所述上極板和下極板之間，所述連接線分別與所述下極板和上極板電連接。

3.如權利要求2所述的無源器件結構，其特征在于，所述介質層的材質為氮化硅或者氧化硅。

4.如權利要求2所述的無源器件結構，其特征在于，所述上極板、下極板以及連接線的材質均為鋁。

5.如權利要求2所述的無源器件結構，其特征在于，所述無源器件結構還包括第一金屬盤、氮氧化硅層、第二金屬盤以及鈍化層；其中，所述第一金屬盤形成于所述前層的表面，所述連接線與所述第一金屬盤電連接，所述第一金屬盤與所述電容結構由層間介質層隔離開，所述氮氧化硅層形成于所述電荷吸附層的表面，所述第二金屬盤形成于所述連接線的表面，所述第二金屬盤之間由所述層間介質層隔離開，所述鈍化層形成于所述層間介質層的表面。

6.如權利要求5所述的無源器件結構，其特征在于，所述第一金屬盤以及第二金屬盤的材質均為鋁。

7.如權利要求6所述的無源器件結構，其特征在于，所述氮氧化硅層的消光系數的范圍為0.55～0.75。

8.如權利要求5所述的無源器件結構，其特征在于，所述鈍化層的材質為氮氧化硅和氮化硅的混合物。

9.如權利要求5所述的無源器件結構，其特征在于，所述下極板、上極板、第一金屬盤和第二金屬盤與所述連接線相連接的表面均形成有勢壘層，所述下極板與第一金屬盤與所述前層相連接的表面形成有勢壘層，所述連接線的兩側壁均形成有勢壘層。

10.如權利要求9所述的無源器件結構，其特征在于，所述勢壘層的材質為Ti和TiN的混合物。

11.如權利要求5所述的無源器件結構，其特征在于，所述第一金屬盤的表面形成有電荷吸附層和氮氧化硅層，所述電荷吸附層和氮氧化硅層與所述連接線的側壁緊貼。

12.如權利要求1所述的無源器件結構，其特征在于，所述電荷吸附層的材質為富硅氮氧化硅。

13.如權利要求12所述的無源器件結構，其特征在于，所述電荷吸附層的厚度范圍是300埃～700埃。

14.如權利要求12所述的無源器件結構，其特征在于，所述電荷吸附層的消光系數的范圍為1.4～1.8。

15.一種無源器件結構的形成方法，用于形成如權利要求1至14中任意一種無源器件結構，所述方法包括步驟：

提供前層；

在所述前層表面依次形成下極板層、介質層和上極板層；

刻蝕部分上極板層，形成上極板，刻蝕停止于介質層；

在所述上極板以及介質層的表面形成電荷吸附層；

依次刻蝕電荷吸附層、介質層以及下極板層，暴露出部分前層，并形成下極板和第一金屬盤；

在所述電荷吸附層以及前層的表面形成第一層間介質層；

刻蝕所述第一層間介質層，形成連接線孔，所述連接線孔依次暴露出部分上極板、下極板以及第一金屬盤；

在所述連接線孔中形成連接線。

16.如權利要求15所述的無源器件結構的形成方法，其特征在于，在形成連接線之后，在所述連接線的表面形成第二金屬盤。

17.如權利要求16所述的無源器件結構的形成方法，其特征在于，在形成第二金屬盤之后，在所述第二金屬盤表面以及第一層間介質層表面形成第二層間介質層。

18.如權利要求16所述的無源器件結構的形成方法，其特征在于，在形成第二層間介質層之后，在所述第二層間介質層的表面形成鈍化層。