[發明專利]一種使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室有效
| 申請號： | 201310437339.3 | 申請日： | 2013-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN103540914A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 王劼;張立國;范亞明;張洪澤 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | C23C16/46 | 分類號： | C23C16/46 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 使用 射頻 加熱 cvd 設備 反應 | ||
1.一種使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，它包括：
具有雙層管狀結構的水冷壁，所述水冷壁的內管腔中設有反應室，而內、外管之間至少與所述反應室相應的區域內分布有冷卻介質容置腔，
設于所述反應室內的加熱基座，且所述加熱基座上分布有一個以上凹槽，?
分布于所述加熱基座與所述水冷壁內管之間的整流罩，以及，
至少繞設在所述水冷壁外壁上與所述反應室相應區域內的感應線圈。
2.根據權利要求1所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述水冷壁具有雙層圓管結構，所述水冷壁的內管腔為反應室，而內、外管之間為冷卻介質容置腔。
3.根據權利要求1所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述加熱基座包括具有多面臺型結構的石墨基座，且所述石墨基座的各側面上均勻分布復數個凹槽，其中任一凹槽的直徑和深度均與晶片的直徑和厚度一致。
4.根據權利要求1或3所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述整流罩包括具有多面桶式結構的石英整流罩，且所述石英整流罩的各側面均與所述加熱基座的各側面平行。
5.根據權利要求3所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述石墨基座的至少一側面與豎直方向的夾角為3°。
6.根據權利要求3或5所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述石墨基座表面有包覆SiC。
7.根據權利要求1所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述感應線圈以與加熱基座同心設置的方式均勻盤繞在所述水冷壁外壁上，且所述感應線圈的直徑從上至下逐漸增大呈錐形結構。
8.根據權利要求7所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述錐形結構與豎直方向之間的夾角為3°。
9.根據權利要求7所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述感應線圈主要由空心紫銅管構成，并且所述空心紫銅管內通入有循環冷卻介質。
10.根據權利要求1所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述水冷壁包括雙層石英圓管。
11.根據權利要求1所述的使用射頻加熱的桶式CVD設備反應室，其特征在于，所述射頻加熱的頻率為1000-25000Hz。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
