[發明專利]等離子體處理的方法

有效

• 申請號: 201310436381.3
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103474328A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 葉如彬;浦遠
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種等離子體處理的方法，其特征在于，包括：

提供待處理基底到反應腔；

對所述待處理基底進行第一等離子體處理，通入第一反應氣體到反應腔，第一射頻功率源輸出射頻功率到反應腔，自動調節所述第一射頻功率源的輸出頻率獲得第一頻率，使第一射頻功率源與反應腔阻抗匹配；

在所述第一等離子體處理之后，對所述待處理基底進行第二等離子體處理，通入第二反應氣體到反應腔，所述第一射頻功率源輸出射頻功率到反應腔，自動調節所述第一射頻功率源的輸出頻率獲得第二頻率，使第一射頻功率源與反應腔阻抗匹配；

在所述第一等離子體處理和第二等離子體處理之間，還包括過渡步驟，在所述過渡步驟中，反應腔內氣體從第一反應氣體轉換為第二反應氣體，設置第一射頻功率源輸出的射頻功率具有預設頻率，所述預設頻率使過渡步驟中的等離子保持點燃，所述預設頻率處于第一頻率到第二頻率的范圍內。

2.如權利要求1所述等離子體處理的方法，其特征在于，所述第一射頻功率源使反應氣體等離子體化，所述第一射頻功率源輸出的射頻功率具有一個射頻頻率大于13兆赫茲。

3.如權利要求2所述等離子體處理的方法，其特征在于，還包括第二射頻功率源，所述第二射頻功率源輸出的射頻功率具有一個射頻頻率小于13MHz，以調節待處理基底的偏壓。

4.如權利要求2所述等離子體處理的方法，其特征在于，所述第一射頻功率源輸出的射頻功率施加到反應腔內的電極或者反應腔外的電感線圈。

5.如權利要求1所述等離子體處理的方法，其特征在于，確定所述第一頻率的自動頻率匹配方式為阻抗匹配；確定所述第二頻率的自動頻率匹配方式為阻抗匹配。

6.如權利要求1所述等離子體處理的方法，其特征在于，所述第一等離子體處理與第二等離子體處理的第一射頻功率源輸出的射頻功率不同。

7.如權利要求1所述等離子體處理的方法，其特征在于，所述第一等離子體處理與第二等離子體處理的氣壓不同。

8.如權利要求1所述等離子體處理的方法，其特征在于，所述第一等離子體處理與第二等離子體處理的反應氣體的種類不同。