[發明專利]監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構在審
| 申請號： | 201310435701.3 | 申請日： | 2013-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN104465615A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 余達強 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 監測 柵極 接合處 漏電 電容 結構 | ||
1.一種監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，包括：
半導體襯底；
形成于所述半導體襯底內的淺溝槽隔離結構；
形成于所述半導體襯底上的柵極單元，其中，所述柵極單元包括依次形成于所述半導體襯底表面的柵介質層和柵極，形成于所述柵介質層和柵極兩側的側墻，形成于所述半導體襯底內位于所述側墻兩側的源/漏極和淺摻雜區，所述淺摻雜區形成于所述源/漏極內，所述源/漏極和淺摻雜區延伸至所述柵介質層的下方；
形成于所述源/漏極和半導體襯底表面的連接線。
2.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述柵介質層下方的所述半導體襯底內形成有淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構隔離所述源/漏極。
3.如權利要求2所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構的材質為二氧化硅。
4.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述半導體襯底的材質為硅。
5.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述柵極單元的個數大于等于1。
6.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述柵介質層的材質為二氧化硅。
7.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述柵極的材質為多晶硅。
8.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述側墻的材質為氮化硅或二氧化硅。
9.如權利要求1所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構還包括形成于所述連接線上的金屬線，所述金屬線與所述連接線相連。
10.如權利要求9所述的監測源/漏極與柵極接合處漏電流和結電容的結構，其特征在于，所述金屬線的材質為銅。
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