[發明專利]功率偏差檢測裝置

有效

• 申請號: 201310434827.9
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN104459302B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 白云;童松林
• 申請（專利權）人: 賽恩倍吉科技顧問(深圳)有限公司
• 主分類號: G01R21/06
• 分類號: G01R21/06
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 薛曉偉

技術領域

本發明涉及一種功率偏差檢測裝置，特別是關于一種檢測晶體管的實際功率與標準功率之間偏差的檢測裝置。

背景技術

金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)以及三極管(Bipolar Junction Transistor, BJT)等晶體管是應用較廣泛的開關管。例如，MOSFET在電源電路，如Buck電路中作為開關管使用。MOSFET的工作性能直接影響了Buck電路的工作性能。在MOSFET的產品說明書(datasheet)中，一般會提供一個MOSFET的安全工作面積(Sage Operating Area, SOA)圖表，以表征通過電流、電壓及功率等參數限定的安全工作區域。使用者通過手動查詢安全工作圖表來判斷晶體管的工作性能。然而，目前還沒有出現一種能對晶體管的功率偏差進行自動檢測從而判斷晶體管工作性能的檢測裝置。

發明內容

鑒于以上內容，有必要提供一種可對晶體管的功率偏差進行檢測的功率偏差檢測裝置，以判斷晶體管的工作性能。

一種功率偏差檢測裝置，用于檢測一晶體管的實際功率與標準功率的偏差，所述功率偏差檢測裝置包括：

電流采樣器，用于檢測待測晶體管的實際工作電流；

電壓采樣器，用于檢測待測晶體管的實際工作電壓；

示波器，電性連接至所述電流采樣器及電壓采樣器，所述示波器用于根據所述實際工作電流及實際工作電壓得到所述晶體管輸出功率最大時的實際工作電流值及實際工作電壓值，并根據所述實際工作電流及實際工作電壓獲得所述晶體管工作在放大區的實際持續時間；

存儲器，其內存儲有一安全操作面積圖表，所述安全操作面積圖表包括多個在特定持續時間下的功率曲線；以及

處理器，電性連接至所述示波器及存儲器，用于根據所述實際持續時間從所述安全操作面積圖表中找出相應的功率曲線，以及根據所述晶體管輸出功率最大時的所述實際工作電壓值及找出的功率曲線找出相應的標準工作電流值；所述處理器還根據所述實際持續時間、找出的功率曲線對應的特定持續時間、所述晶體管輸出功率最大時的實際工作電流值以及標準工作電流值計算所述晶體管的功率偏差。

所述的功率偏差檢測裝置通過示波器配合電流采樣器及電壓采樣器檢測待測晶體管的實際工作電流、實際工作電壓及實際持續時間，并通過處理器從安全操作面積圖表中找出相應的特定持續時間及標準工作電流，并進行相關計算即可自動判斷待測晶體管的工作可靠性。

附圖說明

圖1為本發明較佳實施方式的功率偏差檢測裝置的功能模塊圖。

圖2為使用圖1所示的功率偏差檢測裝置的進行的檢測的晶體管的應用電路圖。

圖3為圖1所示的功率偏差檢測裝置的存儲器存儲的安全操作面積圖表的示意圖。

主要元件符號說明