[發明專利]電容型絕壓傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 201310433681.6
• 申請日: 2013-09-23
• 公開（公告）號: CN103512698A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 張治國;李穎;祝永峰;劉劍;鄭東明;張哲;張娜
• 申請（專利權）人: 沈陽儀表科學研究院有限公司
• 主分類號: G01L9/12
• 分類號: G01L9/12
• 代理公司: 沈陽科威專利代理有限責任公司 21101
• 代理人: 楊濱

1.一種電容型絕壓傳感器，它包括有玻璃—硅復合極板和硅可動極板，其特征是：在硅可動極板下固定一個玻璃-硅復合極板，所述硅可動極板是在兩面拋光的硅片層兩側的中心島部分固定有氧化硅層，硅片層一端的側面固定有金屬導電層，該硅片層的厚度為380~420微米；所述玻璃—硅復合極板是玻璃層固定在單晶硅材料層上方，玻璃層中心位置帶有通孔，與玻璃層上的通孔對應的硅片上固定有金屬層，在該金屬層上方固定有電極層；在所述單晶硅材料層上的一端同樣固定有金屬導電層。

2.根據權利要求1所述的電容型絕壓傳感器，其特征是：所述金屬層是密度與硅相近的純鋁層。

3.根據權利要求1所述的電容型絕壓傳感器，其特征是：所述玻璃層的厚度為200~800微米。

4.一種電容型絕壓傳感器的制造方法，它包括：玻璃-硅復合極板和硅可動極板，其特征是：玻璃-硅復合極板制造方法為：

首先對單晶硅材料進行熱氧化，然后對熱氧化后的單晶硅材料進行光刻，形成帶有開孔的氧化屏蔽膜，再進行對單晶硅材料整體進行各項異性腐蝕，腐蝕厚度5微米，去掉氧化屏蔽膜，并在開孔位置腐蝕出電極槽，在單晶硅材料帶有電極槽的一側濺射金屬層，對金屬層光刻去除多余金屬并合金，制成電極；在玻璃層相對于單晶硅材料的電極位置制出通孔，將通孔與電極同心定位并固定后，對單晶硅材料和玻璃層進行靜電封接；在封接后的玻璃—硅極板上玻璃層表面濺射金屬層，最后進行光刻，保留通孔處由金屬形成的電極層及電極槽內的金屬層；

硅可動極板的制造方法為：對厚度為380~420微米的雙面拋光硅片層進行熱氧化，對氧化后的硅片層進行光刻、去膠，光刻時保留中心島處的氧化膜，對于硅片層進行各項異性腐蝕，在中心島邊緣腐蝕出凹陷，形成電容間隙，再次對硅片層進行熱氧化并光刻，依舊保留中心島處的氧化膜，再次進行各項異性腐蝕，消除硅片層兩端的氧化層；對硅片一端的上表面進行局部金屬濺射，并對濺射后產生的金屬層進行光刻，制出電極；

最后，對玻璃—硅復合極板和硅可動極板進行靜電封接并進行劃片制出成品，封接時硅可動極板接封接設備的正電極，玻璃—硅復合極板的玻璃層接負電極，封接電壓500～1200V?。

5.根據權利要求4所述的電容型絕壓傳感器，其特征是：所述金屬層是密度與硅片相近的純鋁層。

6.根據權利要求4所述的電容型絕壓傳感器，其特征是：所述玻璃層的厚度為200~800微米。