[發明專利]一種小尺寸半導體激光器及其制備方法

有效

• 申請號: 201310432868.4
• 申請日: 2013-09-22
• 公開（公告）號: CN104466676B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 劉歡;沈燕;徐現剛;王英
• 申請（專利權）人: 山東華光光電子股份有限公司
• 主分類號: H01S5/223
• 分類號: H01S5/223;H01S5/042
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種小尺寸半導體激光器的制備方法，

所述小尺寸半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器的周期尺寸≤150μm；

所述半導體激光器是純條結構：所述半導體激光器，包括由下而上依次設置的N面電極、GaAs襯底、N型下限制層、下波導層、有源區、上波導層和帶有刻蝕截止層的P型上限制層，在所述刻蝕截止層的上表面設置有脊條狀P型上限制層，在所述脊條上設置有歐姆接觸層，在所述P型上限制層上設置有露出歐姆接觸層的絕緣層，在所述絕緣層和歐姆接觸層上設置有P面電極；所述的脊條狀P型上限制層的脊條寬度為4-5μm；

所述半導體激光器是帶肩結構：在所述脊條狀P型上限制層的脊條兩側對稱設置有帶肩結構；

包括步驟如下：

(1)在半導體激光器芯片上制備歐姆接觸層，經光刻、刻蝕制備周期尺寸≤150μm的管芯圖形；

(2)對所述制備完歐姆接觸層芯片的P面進行保護；

(3)對芯片的襯底進行減薄；

(4)將半導體激光器芯片清洗后放入蒸發臺：蒸鍍P面電極，P電極蒸鍍完畢后翻架蒸鍍N面電極。

2.如權利要求1所述的小尺寸半導體激光器的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述半導體激光器的周期尺寸為100-150μm。

3.如權利要求2所述的小尺寸半導體激光器的制備方法，其特征在于，所述半導體激光器的周期尺寸為150μm。

4.如權利要求1所述的小尺寸半導體激光器的制備方法，其特征在于，所述半導體激光器是純條結構，制備方法如下：

(1)在GaAs襯底上依次生長緩沖層、N型下限制層、下波導層、有源區、上波導層、P型上限制層、刻蝕截止層、歐姆接觸層；采用光刻技術，用光刻膠在歐姆接觸層的表面制備出純條結構的管芯圖形，其圖形周期尺寸≤150μm；采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方式，在歐姆接觸層向下刻蝕，刻蝕深度到達刻蝕截止層的表面：在所述P型上限制層上刻蝕出脊條；

(2)在脊條區外制備絕緣層；

(3)對芯片的GaAs襯底進行減薄；

(4)將半導體激光器芯片清洗后放入蒸發臺：蒸鍍P面電極P面電極蒸鍍完畢后翻架蒸鍍N面電極。

5.如權利要求1所述的小尺寸半導體激光器的制備方法，其特征在于，所述半導體激光器是帶肩結構，制備方法如下：

(1)在GaAs襯底上依次生長緩沖層、N型下限制層、下波導層、有源區、上波導層、P型上限制層、刻蝕截止層、歐姆接觸層；采用光刻技術，用光刻膠在歐姆接觸層的表面制備出帶肩結構的管芯圖形，其圖形周期尺寸≤150μm；采用濕法腐蝕或干法刻蝕的方式，在歐姆接觸層向下刻蝕，刻蝕深度到達刻蝕截止層的表面；

(2)制備脊條區外的絕緣層；

(3)對芯片的GaAs襯底進行減薄；

(4)將半導體激光器芯片清洗后放入蒸發臺：蒸鍍P面電極，P面電極蒸鍍完畢后翻架蒸鍍N面電極。