[發明專利]硅片加工裝置及方法在審
| 申請號： | 201310432624.6 | 申請日： | 2013-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN104440513A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 王堅;賈照偉;王暉 | 申請（專利權）人： | 盛美半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/04 | 分類號： | B24B37/04;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陸嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 加工 裝置 方法 | ||
1.一種硅片加工裝置，其特征在于，包括：
機臺，該機臺內配置有兩套或兩套以上電化學拋光裝置，每套電化學拋光裝置包括：
拋光液槽，所述拋光液槽儲存拋光液；及
拋光腔室，所述拋光腔室內設置有噴嘴，噴嘴與拋光液槽之間經由拋光液供應管道連接；
各套電化學拋光裝置的拋光液槽內儲存相同或不同的拋光液。
2.根據權利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述拋光液為羥基乙叉二膦酸拋光液、含磷酸的拋光液或含硫酸的拋光液。
3.根據權利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述各套電化學拋光裝置具有數個拋光腔室。
4.根據權利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述每個拋光腔室內設置有兩個或兩個以上噴嘴，所述噴嘴的大小和形狀不同。
5.根據權利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述機臺內配置有兩套電化學拋光裝置，其中一套電化學拋光裝置的拋光液槽內儲存羥基乙叉二膦酸拋光液，另一套電化學拋光裝置的拋光液槽內儲存含磷酸的拋光液。
6.根據權利要求1所述的硅片加工裝置，其特征在于，所述機臺內配置有兩套電化學拋光裝置，其中一套電化學拋光裝置的拋光液槽內儲存含磷酸成分較高而甘油成分較少的拋光液，另一套電化學拋光裝置的拋光液槽內儲存含磷酸成分較少而甘油成分較高的拋光液。
7.一種硅片加工方法，其特征在于，使用如權利要求1～6中任一項所述的硅片加工裝置，該方法包括：使硅片依次在機臺的各電化學拋光裝置內進行電化學拋光處理，其中各電化學拋光裝置內配置相同或不同的拋光液。
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