[發(fā)明專利]制造太陽能電池中的CIGS吸收層的裝置及方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310432602.X | 申請(qǐng)日: | 2013-09-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104282800A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳世偉;許麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)積太陽能股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;C23C14/36 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孫征 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 太陽能電池 中的 cigs 吸收 裝置 方法 | ||
1.一種形成太陽能電池的吸收層的方法,包括:
在太陽能電池襯底的底電極的表面上方形成多個(gè)前體層,形成步驟包括:
利用濺射源或蒸發(fā)源在至少部分表面上方沉積包含鎵和銦中的至少一種、硒和銅的第一層,所述第一層具有第一銅濃度;
在所述至少部分表面上方沉積包含由銅、鎵和銦組成的組中的至少一種、和硒的第二層,所述第二層具有比所述第一銅濃度低的第二銅濃度;以及
對(duì)所述前體層進(jìn)行退火以形成吸收層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:
利用另一個(gè)濺射源在所述吸收層上方沉積緩沖層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述吸收層具有約0.85至約0.95之間的銅鎵銦比率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中,所述第二層包括以下組合中的至少一種組合:
銅、銦、鎵和硒,或
銅、鎵和硒,或
銦和硒,或
銦、鎵和硒。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括:在沉積所述第一層和沉積所述第二層之前,沉積第三層,所述第三層包括由銦和鎵組成的組中的至少一種以及硒。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括:在沉積所述第一層和沉積所述第二層之前,沉積第三層,所述第三層包括以下組合中的至少一種組合:
銅、銦、鎵和硒,或
銅、鎵和硒,或
銦和硒,或
銦、鎵和硒。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括:在所述第一層或所述第二層之后,沉積第三層,所述第三層包括鎵和銦中的至少一種、硒和銅。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,還包括:在所述第二層上方沉積硒層。
9.一種在太陽能電池襯底上形成前體層堆疊件從而形成吸收層的方法,包括:
在太陽能電池襯底的底電極的至少部分表面上方沉積包含鎵和銦中的至少一種、硒和銅的第一層,所述第一層具有第一銅濃度;以及
在所述至少部分表面上方沉積包含由銅、鎵和銦組成的組中的至少一種以及硒的第二層,所述第二層具有比所述第一銅濃度低的第二銅濃度。
10.一種形成太陽能電池的吸收層的方法,包括:
在太陽能電池襯底的底電極表面上方形成多個(gè)前體層,形成步驟包括:
利用濺射源或蒸發(fā)源在至少部分表面上方沉積包含鎵和銦中的至少一種以及硒的第一層;
在所述至少部分表面上方沉積包含由鎵和銦組成的組中的至少一種、硒和銅的第二層;
在所述至少部分表面上方沉積包含由鎵和銦組成的組中的至少一種以及硒的第三層;以及
對(duì)所述前體層進(jìn)行退火以形成吸收層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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