[發明專利]制作高均勻度柵極線條的方法

有效

• 申請號: 201310432435.9
• 申請日: 2013-09-22
• 公開（公告）號: CN103474337A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 毛智彪
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于包括：

第一步驟：在襯底硅片上依次直接沉積多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻膠；

第二步驟：執行曝光和顯影以便在第一光刻膠膜中形成第一柵極線條的結構；

第三步驟：在與第二步驟的顯影過程相同的同一顯影機臺內，在第一光刻膠上涂布含有胺類化合物和/或多胺類化合物的固化材料，交聯固化第一光刻膠中的第一柵極線條結構，加熱使固化材料與第一光刻膠表面反應形成不溶于第二光刻膠的隔離膜；

第四步驟：在固化后的第一光刻膠上涂布第二光刻膠；

第五步驟：完成曝光和顯影在第二光刻膠膜中形成第一線端切割圖形；

第六步驟：以第二光刻膠膜為掩模，刻蝕隔離膜和第一柵極線條，形成第二線端切割圖形；

第七步驟：以剩余的隔離膜和第一柵極線條為掩模，繼續依次刻蝕旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除殘余的旋涂碳薄膜，最終在多晶硅薄膜層形成第二柵極線條的結構。

2.根據權利要求1所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第一光刻膠可選用可形成硬膜的光刻膠；優選的，第一光刻膠是含硅烷基、硅烷氧基和籠形硅氧烷中的一種的光刻膠；優選地，第一光刻膠的硅含量范圍為大于或等于15wt%，優選地大于或等于30wt%。

3.根據權利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第一光刻膠和第二光刻膠的抗刻蝕能力比大于或等于1.5:1。

4.根據權利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，固化材料的主要成分為胺類化合物和/或多胺類化合物；優選的，胺類化合物和/或多胺類化合物的濃度范圍為0.1wt%至100wt%，進一步優選的，0.5%至10wt%。

5.根據權利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，固化材料的其他成分可以包括但交聯催化劑和表面活性劑;

交聯催化劑的材料選擇是基于交聯反應活性要求；優選的，交聯催化劑是溶于有機溶劑的非親核型叔胺，其濃度范圍為0.1wt%至20wt%,優選的，0.5%至5wt%;優選的，表面活性劑是溶于有機溶劑的非離子型表面活性劑，其濃度范圍為50ppm至10000ppm，優選的，100ppm至1000ppm。

6.根據權利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，第三步驟中斷加熱溫度的范圍為30℃至180℃，優選的，50℃至120℃。

7.根據權利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，旋涂碳薄膜的厚度為20納米至300納米，優選的，旋涂碳薄膜的厚度為50納米至250納米。

8.根據權利要求1或2所述的制作高均勻度柵極線條的方法，其特征在于，旋涂碳薄膜的碳含量范圍為大于或等于60wt%，優選的，大于或等于70wt%。