[發明專利]ONO結構的柵極側墻的制作方法

無效

• 申請號: 201310432329.0
• 申請日: 2013-09-22
• 公開（公告）號: CN103489768A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 江潤峰;戴樹剛
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種ONO結構的柵極側墻的制作方法，其特征在于，包括：

采用爐管原子層沉積工藝，在柵極兩側和頂部形成第一二氧化硅層；

采用爐管原子層沉積工藝，在所述第一二氧化硅層上形成氮化硅層；

采用爐管原子層沉積工藝，在所述氮化硅層上形成第二二氧化硅層，所述第二氧化硅層、氮化硅層、和第一氧化硅層形成ONO結構的柵極側墻的柵極側墻。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述爐管原子層沉積工藝形成所述第一氧化硅層、第二氧化硅層的溫度范圍為350-550攝氏度。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化硅層或第二氧化硅層的爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟：步驟1、通入前驅體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅層或第二氧化硅層時，所述前驅體特氣包括：Si[N(CH3)]₃H，所述凈化氣體包括：N2，所述特氣包括：O3。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，通過調整所述制作周期的數目，來調整形成的第一氧化硅層和第二氧化硅層的厚度，通過調整制作周期內的每個步驟的時間，來調整形成的第一氧化硅層、第二氧化硅層的厚度均勻性。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述氮化硅層的爐管原子層沉積工藝溫度范圍為400-600攝氏度。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟：步驟1、通入前驅體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述前驅體特氣包括：DCS,所述凈化氣體包括：N2，所述特氣包括：NH3。

9.如權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述前驅體特氣、凈化氣體、特氣利用多孔石英管通入。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在通入所述NH3氣體時，利用原位射頻電極對NH3進行激活。

11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，通過調整所述制作周期的數目，來調整形成的氮化硅層的厚度，通過調整制作周期內的每個步驟的時間，來調整形成的氮化硅層的厚度均勻性。