[發明專利]ZnS納米晶薄膜、其制備方法及應用

有效

• 申請號: 201310430460.3
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103496736A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 洪瑞江;周新
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: C01G9/08
• 分類號: C01G9/08;C03C17/22;C04B41/50;H01L31/18;H01L31/0296;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 曹愛紅

1.一種采用化學水浴法制備ZnS納米晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：?

（1）配制基礎溶液，對基礎溶液進行水浴加熱，同時不斷攪拌；所述基礎溶液中ZnSO4濃度為0.01～0.2mol/L、(NH4)2SO4濃度為0.01～0.1mol/L；?

（2）待基礎溶液溫度上升至60～90℃時，向其中加入氨水、硫脲，得到的混合液中氨水、硫脲的濃度分別為0.5～3.0mol/L、0.1～0.5mol/L；?

（3）將基底豎直的放入混合液中，并向其中滴加三乙醇胺，沉積ZnS薄膜；?

（4）待ZnS薄膜在基底上沉積的厚度達到預定值時，取出基底，對基底進行清洗、保存。?

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，整個制備過程中，對溶液不斷的進行磁力攪拌，攪拌速度控制在100～400r/min。?

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中，滴加的三乙醇胺在混合液中的濃度控制在0.0025～0.01mol/L。?

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2中，混合液的PH值為9.5～12。?

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中，基底豎直放入混合液中后，基底在其中每隔5～10分鐘做一段時長1分鐘的頻率為2-5Hz的上下震動。?

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對基底進行清洗為先用濃度范圍為1.5～5mol/L的氨水溶液進行堿洗，再用去離子水清洗。?

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，對基底進行清洗為先將基底放入1.5～5mol/L的氨水溶液中清洗3～5秒，再用去離子水清洗10秒，如此反復5～10次。?

8.一種由權利要求1～7任一項所述的方法制備的ZnS納米晶薄膜。?

9.權利要求8所述的ZnS納米晶薄膜在薄膜太陽能電池中的應用。?