[發(fā)明專利]一種防垢型偏心半球閥

有效

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• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103470802A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李習(xí)洪;何銳;徐夢欣
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢大禹閥門股份有限公司
• 主分類號: F16K5/06
• 分類號: F16K5/06;F16K5/08
• 代理公司: 武漢開元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42104
• 代理人: 俞鴻

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于閥門技術(shù)，尤其涉及一種能防止閥門內(nèi)結(jié)垢的防垢型偏心半球閥。

背景技術(shù)

在閥門行業(yè)中的偏心半球閥，大部分應(yīng)用于污水、原水系統(tǒng)中，會(huì)出現(xiàn)比較嚴(yán)重的結(jié)垢現(xiàn)象，尤其我國北方地區(qū)，水質(zhì)偏堿性、硬度偏高，結(jié)垢現(xiàn)象更為嚴(yán)重。此類水垢不同于高溫鍋爐等設(shè)備中的結(jié)垢，而是類似于以礦物質(zhì)結(jié)晶析出的方式附著于偏心半球閥的球冠和閥座，附著力強(qiáng)難以清除，影響閥門密封，引起閥門卡阻，增加閥門啟閉扭矩，嚴(yán)重時(shí)閥門無法啟閉而功能失效。

目前常用而又環(huán)保的防垢方法是水磁化處理技術(shù)，采用的是10000高斯以上的強(qiáng)磁場防垢，這種強(qiáng)磁場防垢技術(shù)應(yīng)用在閥門上，強(qiáng)磁場會(huì)影響到閥門的啟閉，反而造成雜物吸附等問題。因此，對于利用磁場對閥門的防垢還需進(jìn)一步研究，使得既能保證閥門的防垢，又能不影響閥門的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的就是針對上述缺陷，提供一種既能保證閥門的防垢，又能不影響閥門性能的防垢型偏心半球閥。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：提供一種防垢型偏心半球閥，包括閥體、設(shè)在閥體內(nèi)的閥座、與閥座形成密封副的球冠及支撐球冠的閥芯，還包括設(shè)置在閥體內(nèi)的磁性材料，其磁性材料的磁場范圍作用于球冠表面。

所述作用于球冠表面磁場的強(qiáng)度為10~50高斯。

所述磁性材料設(shè)置在球冠表面上。

所述磁性材料設(shè)置在閥芯與球冠接觸面位置處。

所述磁性材料內(nèi)嵌在閥芯表面的中心位置處。

所述磁性材料沿圓周分布內(nèi)嵌在閥芯表面的邊緣位置處。

所述設(shè)置在球冠表面的磁性材料為磁性材料層。

所述內(nèi)嵌在閥芯表面的磁性材料為永磁體。

所述永磁體沿圓周均勻或非均勻的內(nèi)嵌在閥芯表面的邊緣位置處。

對所述閥座進(jìn)行磁化，其磁化后的磁場強(qiáng)度為10~50高斯。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果為：在需要防垢的部位（球冠表面）作用10~50高斯的弱磁場，既能保證偏心半球閥的防垢，又能不影響偏心半球閥的性能；其偏心半球閥結(jié)構(gòu)簡單、密封性能好。

附圖說明

圖1為本發(fā)明防垢型偏心半球閥的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

如圖1所示的防垢型偏心半球閥，包括閥體、設(shè)在閥體內(nèi)的閥座203、與閥座203形成密封副的球冠201及支撐球冠201的閥芯204，其主要結(jié)垢的零部件是球冠201和閥座203。球冠201和閥座203一旦結(jié)垢，垢層薄時(shí)改變閥門密封配合，增加閥門啟閉力矩，造成球冠201和閥座203磨損過快，減小閥門壽命，垢層厚時(shí)甚至引起球冠與閥座粘連閥門無法開啟。因此，在閥體內(nèi)還設(shè)置有磁性材料，其磁性材料的磁場范圍作用于球冠201表面，同時(shí)，作用于球冠201表面磁場的強(qiáng)度為10~50高斯。

本實(shí)施例中的磁性材料可以是設(shè)置在球冠201表面上的磁性材料層，也可以是設(shè)置在閥芯204與球冠201接觸面位置處的永磁體202，其永磁體202處于全封閉狀態(tài)。

磁性材料層可以是附著、粘連在球冠201外表面；單個(gè)永磁體可以固定安裝在閥芯204表面的中心位置的凹槽內(nèi)、也可以是多個(gè)永磁體沿圓周均勻分布或非均勻分布內(nèi)固定安裝在閥芯204表面的邊緣位置的凹槽內(nèi)；也可以在球冠201內(nèi)表面開有供安裝永磁體的凹槽；也可以是將永磁體固定安裝在閥芯與球冠之間，在閥芯和球冠表面各開一個(gè)相互配合的凹槽，將永磁體卡在這兩個(gè)凹槽內(nèi)。

使其達(dá)到球冠201表面的磁場強(qiáng)度為10~50高斯的弱磁場。如果磁場強(qiáng)度低于10高斯，磁場太弱則不能磁化部件附近介質(zhì)，如果磁場強(qiáng)度高于50高斯，磁場強(qiáng)度太高影響閥門啟閉、造成雜物吸附等問題。

使球冠201周圍的水受到磁場的洛倫茲力作用，正、負(fù)離子分別按左、右旋螺線形軌跡運(yùn)動(dòng)，在其靜電引力作用下，互相結(jié)合，復(fù)合成“溶解狀態(tài)的溶質(zhì)分子”，“溶解狀態(tài)的溶質(zhì)分子”在水中析出大量微小的結(jié)晶核，在析晶過程中晶核不斷長大，而晶體的生長速率小于成核速率，形成了大量微晶體，且微晶體的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，有效降低多個(gè)微晶體結(jié)合形成大結(jié)晶體的概率，微晶體最后成為顆粒狀態(tài)的水垢，且分布比較松散，隨著循環(huán)水的流動(dòng)，失去了與器壁吸附的能力，因此，保護(hù)了球冠的球面不結(jié)垢，又不至于影響閥門的啟閉性能。

同時(shí)，對閥座203進(jìn)行磁化處理，使其磁化后的磁場強(qiáng)度為10~50高斯，也可以選用弱磁性（10~50高斯）馬氏體不銹鋼閥座203，使閥座203周圍的水受到弱磁場影響，產(chǎn)生的水垢失去吸附能力，保護(hù)了閥座不結(jié)垢，同時(shí)閥座的磁性很弱，因此也不會(huì)有雜物吸附。