[發明專利]像素結構、顯示面板及其制作方法

有效

• 申請號: 201310428499.1
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN103439841A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 李錫烈
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭蔚

1.一種像素結構，設置于一第一基板上，該像素結構包括：

一有源開關元件，設置于該第一基板上；

一圖案化共通電極層，設置于該第一基板上；

一絕緣層，設置于該第一基板上，并覆蓋該圖案化共通電極層；

一圖案化氧化物電極層，設置于該絕緣層上并電性連接該有源開關元件，該圖案化氧化物電極層包括：

一半導體部分，與該圖案化共通電極層在一垂直投影方向上大體上重疊；以及

一導體部分，與該半導體部分彼此連接并與該圖案化共通電極層在該垂直投影方向上大體上不重疊，且該導體部分構成一像素電極；以及

一圖案化保護層，設置于該圖案化氧化物電極層上并覆蓋該圖案化氧化物電極層的該半導體部分，且該圖案化保護層具有一開口，暴露出該圖案化氧化物電極層的該導體部分。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，另包括一共通線，設置于該第一基板上，其中該圖案化共通電極層與該共通線電性連接。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該圖案化共通電極層包括一連接部與多個條分支電極，該多個分支電極與該連接部連接且該多個分支電極大體上彼此平行設置，且相鄰的兩條該多個分支電極之間具有一狹縫(slit)。

4.如權利要求3所述的像素結構，其特征在于，在該垂直投影方向上，該圖案化氧化物電極層的該半導體部分大體上與該多個分支電極重疊，且該導體部分大體上與該多個狹縫重疊。

5.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該圖案化共通電極層的材料包括一透明導電材料。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該圖案化氧化物電極層的材料包括銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋅錫氧化物(ZTO)、鋅氧化物(ZnO)與鋁鋅氧化物(AZO)的其中至少一者。

7.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該半導體部分具有一第一電阻值，該導體部分具有一第二電阻值，且該第一電阻值大于該第二電阻值。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該圖案化共通電極層具有一共通電壓，且該共通電壓提供一負偏壓(negative?bias)電場給該半導體部分，使該半導體部分在該負偏壓電場下轉變為一非導體部分(non-conductive?portion)。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，該有源開關元件包括一氧化物晶體管元件，該氧化物晶體管元件具有一通道層，且該圖案化氧化物電極層與該通道層由同一材料層所構成。

10.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，該氧化物晶體管元件具有一柵極電極、一柵極絕緣層、一源極電極與一漏極電極，該柵極絕緣層設置于該柵極電極與該通道層之間，該通道層大體上對應該柵極電極，該源極電極與該漏極電極分別設置于該通道層的兩側且分別與該通道層部分重疊。

11.一種顯示面板，包括：

一第一基板；

一有源開關元件，設置于該第一基板上；

一圖案化共通電極層，設置于該第一基板上；

一絕緣層，設置于該第一基板上并覆蓋該圖案化共通電極層；

一圖案化氧化物電極層，設置于該絕緣層上并電性連接該有源開關元件，該圖案化氧化物電極層包括：

一半導體部分，與該圖案化共通電極層在一垂直投影方向上大體上重疊；以及

一導體部分，與該半導體部分彼此連接，該導體部分與該圖案化共通電極層在該垂直投影方向上大體上不重疊，且該導體部分構成一像素電極；

一圖案化保護層，設置于該圖案化氧化物電極層上并覆蓋該圖案化氧化物電極層的該半導體部分，且該圖案化保護層具有一開口，暴露出該圖案化氧化物電極層的該導體部分；

一第二基板，與該第一基板面對設置；以及

一顯示介質，設置于該第一基板與該第二基板之間。