[發(fā)明專(zhuān)利]一種MOCVD自動(dòng)化控制系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310426749.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103526189A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王劼;張立國(guó);范亞明;張洪澤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/52 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/52 |
| 代理公司: | 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mocvd 自動(dòng)化 控制系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備,尤其涉及一種用于MOCVD設(shè)備的自動(dòng)控制系統(tǒng)。
背景技術(shù)
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是制備化合物半導(dǎo)體外延材料的核心設(shè)備,利用其所生長(zhǎng)的材料品質(zhì)完美,薄層結(jié)構(gòu)可控,幾乎涵蓋了所有常規(guī)半導(dǎo)體,有著廣闊的市場(chǎng)前景。
目前國(guó)際上的MOCVD設(shè)備都采用電腦控制,在電腦終端輸入規(guī)范的控制信息,實(shí)現(xiàn)設(shè)備的流程運(yùn)行控制,生長(zhǎng)出合理的器件結(jié)構(gòu)。例如Aixtron和Veeco的MOCVD設(shè)備,用戶(hù)根據(jù)材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并輸入文本格式命令,檢查工藝命令無(wú)誤后啟用,設(shè)備按照工藝命令中設(shè)計(jì)好的流程自動(dòng)運(yùn)行。
但是由于MOCVD工藝步驟復(fù)雜,涉及的參數(shù)眾多。例如,一個(gè)最簡(jiǎn)單的GaN藍(lán)光LED單量子阱結(jié)構(gòu),工藝步驟多達(dá)幾十步,每一步需調(diào)整的工藝參數(shù)有20多個(gè),工藝人員需要根據(jù)工藝要求對(duì)各個(gè)參數(shù)逐一進(jìn)行調(diào)整,必要時(shí)還要對(duì)升溫速度、升壓速度、生長(zhǎng)速率控制、載氣與氣源配比等進(jìn)行計(jì)算,另外工藝的復(fù)雜也導(dǎo)致輸入的工藝命令,特別是設(shè)計(jì)新結(jié)構(gòu)的時(shí)候,工藝命令會(huì)存在不少錯(cuò)誤,檢查工藝命令的過(guò)程會(huì)非常繁瑣和花費(fèi)時(shí)間,因此,工作量大,對(duì)工藝人員的要求高。因此,如何發(fā)展出一種有效的輔助工具,以輔助工作人員進(jìn)行設(shè)計(jì),并加快設(shè)計(jì)流程,且保證控制程序不會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤,已經(jīng)成為業(yè)界亟待解決的技術(shù)難題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種MOCVD自動(dòng)化控制系統(tǒng),其具有高自動(dòng)化程度,可以自動(dòng)檢查工藝和模擬工藝運(yùn)行,無(wú)需生長(zhǎng)經(jīng)驗(yàn)也可操作使用。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:
一種MOCVD自動(dòng)化控制系統(tǒng),包括:
執(zhí)行模塊,包括分別用于控制反應(yīng)室內(nèi)溫度、壓力和氣體流量的溫度控制模塊、壓力控制模塊和流量控制模塊,
至少用以控制所述執(zhí)行模塊的控制模塊,包括掃描單元和信息記錄單元,
以及,與控制模塊連接的人機(jī)界面模塊,
其中,所述掃描單元至少實(shí)時(shí)掃描所述執(zhí)行模塊內(nèi)的溫度控制模塊、壓力控制模塊和流量控制模塊,并自動(dòng)記錄掃描得到的執(zhí)行信息至所述信息記錄單元,同時(shí)傳送執(zhí)行信息至所述人機(jī)界面模塊。
作為較為優(yōu)選的應(yīng)用方案之一,所述控制模塊通過(guò)PID算法控制所述執(zhí)行模塊。
作為較為優(yōu)選的應(yīng)用方案之一,所述執(zhí)行模塊通過(guò)RS485總線(xiàn)和通信協(xié)議與控制模塊進(jìn)行通信。
進(jìn)一步地,所述溫度控制模塊包括溫控器、熱電偶、加熱電阻片、工控機(jī)和PLC,在所述溫度控制模塊工作時(shí),所述工控機(jī)在獲得溫控器監(jiān)測(cè)的實(shí)時(shí)溫度值后,與工藝命令內(nèi)設(shè)定的溫度值比較,并通過(guò)預(yù)設(shè)的溫度控制算法計(jì)算出相應(yīng)控制量,再輸往PLC,并由PLC輸出相應(yīng)電壓來(lái)控制加熱電阻片,從而控制反應(yīng)室溫度。
進(jìn)一步地,所述壓力控制模塊包括壓力控制器、工控機(jī)和PLC,在所述壓力控制模塊工作時(shí),所述工控機(jī)下發(fā)工藝命令給PLC,經(jīng)PLC分析處理后,再將工藝數(shù)據(jù)傳送給壓力控制器,并由壓力控制器根據(jù)檢測(cè)的實(shí)時(shí)壓力值和工藝命令給定值自動(dòng)調(diào)節(jié)壓力。
進(jìn)一步地,所述流量控制模塊包括質(zhì)量流量控制器、工控機(jī)和PLC,在所述流量控制模塊工作時(shí),所述工控機(jī)下載工藝命令給PLC,經(jīng)PLC分析處理后,再將工藝數(shù)據(jù)傳送給質(zhì)量流量控制器,并由質(zhì)量流量控制器依據(jù)檢測(cè)的實(shí)時(shí)流量值和工藝命令給定值自動(dòng)調(diào)節(jié)流量。
進(jìn)一步地,所述控制模塊還包括歷史數(shù)據(jù)記錄單元和歷史數(shù)據(jù)查詢(xún)單元。
進(jìn)一步地,所述控制模塊還包括用于監(jiān)測(cè)MOCVD工藝生長(zhǎng)過(guò)程中任一重要參數(shù)的安全監(jiān)控模塊,且所述安全監(jiān)控模塊通過(guò)人機(jī)界面顯示錯(cuò)誤信息,并將錯(cuò)誤信息存入所述控制模塊內(nèi)的歷史數(shù)據(jù)記錄單元,同時(shí)控制所述執(zhí)行模塊終止MOCVD生長(zhǎng)運(yùn)行。
進(jìn)一步地,所述控制模塊利用PID算法對(duì)所述溫度控制模塊、壓力控制模塊、流量控制模塊,采集到的各類(lèi)信號(hào)進(jìn)行分析和控制,并通過(guò)人機(jī)界面模塊設(shè)定工藝生長(zhǎng)的物理參數(shù),完成MOCVD工藝自動(dòng)化生長(zhǎng)流程。
優(yōu)選的,在所述溫度控制模塊中,所述工控機(jī)可通過(guò)RS485串口得到溫控器監(jiān)測(cè)的實(shí)時(shí)溫度值。
優(yōu)選的,在所述壓力控制模塊中,所述工控機(jī)可通過(guò)RS485串口傳送工藝命令給PLC。
并且,在所述壓力控制器中可集成參數(shù)可調(diào)的PID控制算法,使其可以根據(jù)檢測(cè)的實(shí)時(shí)壓力值和工藝命令給定值,自動(dòng)調(diào)節(jié)壓力。
優(yōu)選的,在所述流量控制模塊中,可于質(zhì)量流量控制器內(nèi)集成參數(shù)可調(diào)的PID控制算法,使其可以根據(jù)檢測(cè)的實(shí)時(shí)流量值和工藝命令給定值,自動(dòng)調(diào)節(jié)流量。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310426749.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 檢測(cè)MOCVD反應(yīng)系統(tǒng)情況的方法
- 一種MOCVD反應(yīng)腔測(cè)溫方法
- 改善MOCVD反應(yīng)工藝的部件及改善方法
- 一種過(guò)溫保護(hù)裝置及方法
- 消除MOCVD設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)水氧分子雜質(zhì)的方法
- MOCVD系統(tǒng)及其清理方法
- 一種LED-MOCVD制程廢氣全溫程變壓吸附提氫再利用的方法
- 一種LED-MOCVD制程廢氣全溫程變壓吸附提氨再利用的方法
- 一種便于拆裝維修的MOCVD加熱器源及其操作方法
- 一種實(shí)時(shí)測(cè)量MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)氣相溫度的飛秒CARS系統(tǒng)
- 自動(dòng)化設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)
- 一種基于流程驅(qū)動(dòng)的測(cè)試自動(dòng)化方法以及測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)
- 用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備認(rèn)識(shí)的系統(tǒng)和方法
- 實(shí)現(xiàn)過(guò)程自動(dòng)化服務(wù)的標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)方法學(xué)的自動(dòng)化系統(tǒng)
- 一種日產(chǎn)50萬(wàn)安時(shí)勻漿自動(dòng)化系統(tǒng)
- 一種自動(dòng)化肥料生產(chǎn)系統(tǒng)
- 一種電氣自動(dòng)化設(shè)備自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)及檢測(cè)方法
- 用于自動(dòng)化應(yīng)用的抽象層
- 一種基于虛擬化架構(gòu)的自動(dòng)化系統(tǒng)功能驗(yàn)證方法
- 自動(dòng)化測(cè)試框架自動(dòng)測(cè)試的實(shí)現(xiàn)技術(shù)





