[發(fā)明專利]一種利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310426654.6
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103500774A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪煒;洪捐;張偉;代建東
• 申請（專利權(quán)）人: 南京航空航天大學(xué)
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 李紀(jì)昌;曹翠珍

1.一種利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，包括如下步驟：

第1步、將硅片進(jìn)行制絨、清洗、擴(kuò)散、邊緣刻蝕及去磷硅玻璃，得到前工序硅片；

第2步、將P型硅球混合于印漿中，再印刷于第1步所得的前工藝硅片背面，烘干后再進(jìn)行退火，得到帶硼摻雜局部背場的硅片；

第3步、在第2步所得的硼摻雜局部背場的硅片的背面沉積鈍化膜；

第4步、將銀漿套印于烘干后的印漿表面，再進(jìn)行烘干；

第5步、對硅片進(jìn)行燒結(jié)，使銀漿和硅硼摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的第2步中，印漿在背面的圖案是點狀，點直徑范圍為70～250μm，點間距的范圍為100～2000μm；印漿在背面的圖案或者是線狀陣列，線寬范圍是70～200μm，線間距是100～2000μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的第2步中，打印方式是絲網(wǎng)印刷或者噴墨打印。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的P型硅球是通過脈沖放電的方法制備得到的，所述的P型硅球中硼原子的濃度在1×10¹⁷～1×10²¹?atoms/cm³之間，P型硅球的尺寸范圍在0.05～3μm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的絲網(wǎng)印刷的工藝參數(shù)是：漿料中的P型硅球的粒徑范圍是100nm～3μm，漿料包括有按質(zhì)量百分比計的如下組分：摻硼硅球5%～20%、表面活性劑1～10%、溶劑50%～80%、添加劑10%～35%，漿料印刷后的厚度范圍是1～12μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的噴墨印刷的工藝參數(shù)是：硅墨中的P型硅球的粒徑范圍是50nm～500nm，硅墨包括有按質(zhì)量百分比計的如下組分：P型硅球2%～10%、表面活性劑0.5～10%、溶劑80%～95%、添加劑1%～10%，硅墨打印后厚度范圍為0.5～5μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或者6所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的表面活性劑是卵磷脂、脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦、烷基酚聚氧乙烯醚、高碳脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、脂肪酸甲酯乙氧基化物、聚氧乙烯嵌段共聚物、甘油季戊四醇、失水山梨醇、蔗糖脂肪酸酯、烷基醇酰胺、聚丙烯酰胺中的一種或幾種的混合物；溶劑是去離子水或者有機(jī)溶劑，所述的有機(jī)溶劑是乙醇、二氯甲烷、苯中的一種或幾種的混合物；添加劑是增稠劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的增稠劑是聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的第2步中的印漿烘干過程，溫度為200℃～350℃，干燥時間為1～10min；退火過程溫度為400℃～900℃，峰值保溫時間5～30min；所述的第4步中，銀漿的烘干步驟參數(shù)是：溫度為180℃～300℃，干燥時間為10～60s。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用P型硅球作為硼源制備局部背場的方法，其特征在于：所述的第5步中燒結(jié)步驟的參數(shù)是：溫度為700～850℃，峰值溫度保溫時間1～10s。