[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列面板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310426516.8
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103811499B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸智榮;丁有光;金湘甲;李俊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

本發(fā)明提供了薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。該薄膜晶體管陣列面板包括：基板；柵線，每條柵線包括柵極墊；柵絕緣層；數(shù)據(jù)線和漏電極，每條數(shù)據(jù)線包括連接到源電極的數(shù)據(jù)墊；第一鈍化層，設(shè)置在數(shù)據(jù)線和漏電極上；第一電場產(chǎn)生電極；第二鈍化層，設(shè)置在第一電場產(chǎn)生電極上；以及第二電場產(chǎn)生電極。柵絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層包括暴露部分柵極墊的第一接觸孔，第一鈍化層和第二鈍化層包括暴露部分?jǐn)?shù)據(jù)墊的第二接觸孔，第一接觸孔和第二接觸孔中的至少一個具有正錐形結(jié)構(gòu)，該正錐形結(jié)構(gòu)在上側(cè)具有比下側(cè)更寬的區(qū)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示范實施方式涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。

背景技術(shù)

液晶顯示器包括其上形成電場產(chǎn)生電極(諸如像素電極和公共電極)的兩個顯示面板以及插置在這兩個顯示面板之間的液晶層。液晶顯示器通過施加電壓到電場產(chǎn)生電極而在液晶層中產(chǎn)生電場，通過產(chǎn)生的電場確定液晶層的液晶分子的方向，以及控制入射光的偏振以顯示圖像。

在液晶顯示器中，用于在液晶層中產(chǎn)生電場的兩個電場產(chǎn)生電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板上。

當(dāng)兩個電場產(chǎn)生電極形成在薄膜晶體管陣列面板上時，多個絕緣層可以設(shè)置在薄膜晶體管和電場產(chǎn)生電極之間。多個絕緣層當(dāng)中的至少一個層可以是有機絕緣層。當(dāng)用于電連接薄膜晶體管和電場產(chǎn)生電極的接觸孔形成在多個絕緣層中時，接觸孔的寬度會被蝕刻每個絕緣層的工藝增大。當(dāng)接觸孔的寬度增大時，使用該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器的開口率會降低。

當(dāng)接觸孔的橫截面具有在多個絕緣層中形成接觸孔時由蝕刻絕緣層引起的倒置錐形結(jié)構(gòu)(reverse taper structure)時，形成在絕緣層上的電場產(chǎn)生電極會在接觸孔內(nèi)斷開。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示范實施方式提供了一種薄膜晶體管陣列面板(其中兩個電場產(chǎn)生電極形成在薄膜晶體管陣列面板上，并防止接觸孔的寬度增大)及其制造方法。

本發(fā)明的示范實施方式提供一種薄膜晶體管陣列面板(其中接觸孔的橫截面形成為具有正錐形結(jié)構(gòu)，并防止電場產(chǎn)生電極在接觸孔內(nèi)部斷開)及其制造方法。

本發(fā)明的示范實施方式提供一種薄膜晶體管陣列面板，包括：基板；多條柵線，設(shè)置在基板上并包括柵極墊；柵絕緣層，設(shè)置在多條柵線上；多條數(shù)據(jù)線和漏電極，設(shè)置在柵絕緣層上，每條數(shù)據(jù)線包括源電極和數(shù)據(jù)墊；第一鈍化層，設(shè)置在多條數(shù)據(jù)線和漏電極上；第一電場產(chǎn)生電極，設(shè)置在第一鈍化層上；第二鈍化層，設(shè)置在第一電場產(chǎn)生電極上；以及第二電場產(chǎn)生電極，設(shè)置在第二鈍化層上。第一鈍化層和第二鈍化層可以是無機材料，柵絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層可以具有暴露柵極墊的一部分的第一接觸孔。第一鈍化層和第二鈍化層可以具有暴露數(shù)據(jù)墊的一部分的第二接觸孔。第一接觸孔和第二接觸孔中的一個或多個可以具有正錐形結(jié)構(gòu)，在該正錐形結(jié)構(gòu)中，截面區(qū)域從下側(cè)到上側(cè)變寬。

柵絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層中的至少一個可以包括下層和設(shè)置在下層上的上層，上層的接觸孔的截面區(qū)域可以比下層的接觸孔的截面區(qū)域大。

第一鈍化層可以是單層。

第二鈍化層可以是包括下層和設(shè)置在下層上的上層的雙層。

第一鈍化層的蝕刻速度可以與第二鈍化層的下層的蝕刻速度相同或比第二鈍化層的下層的蝕刻速度慢，第二鈍化層的下層的蝕刻速度可以比第二鈍化層的上層的蝕刻速度慢。

柵絕緣層的蝕刻速度可以比第一鈍化層的蝕刻速度慢。

第一鈍化層的氮和氫的結(jié)合濃度(combination concentration)與硅和氫的結(jié)合濃度的比率可以幾乎等于或小于第二鈍化層的下層的氮和氫的結(jié)合濃度與硅和氫的結(jié)合濃度的比率，并且第二鈍化層的下層的氮和氫的結(jié)合濃度與硅和氫的結(jié)合濃度的比率可以小于第二鈍化層的上層的氮和氫的結(jié)合濃度與硅和氫的結(jié)合濃度的比率。