[發明專利]吸氣層形成方法

有效

• 申請號: 201310426431.X
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN103681267B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 森數洋司;服部奈緒
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;金玲

1.一種吸氣層形成方法，在表面形成有器件的硅片的背面以露出的方式形成捕獲金屬離子的吸氣層，該吸氣層形成方法的特征在于，

將具有使熱擴散長度成為10nm～230nm的脈寬的脈沖激光光線照射到該硅片的背面來形成深度成為該熱擴散長度的吸氣層，

該脈沖激光光線的脈寬被設定為1ps～500ps，

在設脈沖激光光線的重復頻率為h、進給速度為v、光點直徑為d的情況下，具有v/h≦2d的關系，其中，重復頻率h的單位是kHz、進給速度v的單位是mm/秒、光點直徑d的單位是μm。

2.根據權利要求1所述的吸氣層形成方法，其中，

脈沖激光光線的波長被設定為1550nm以下。

3.根據權利要求2所述的吸氣層形成方法，其中，

脈沖激光光線的波長被設定為1064nm以下。