[發(fā)明專利]形成柵極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310425760.2
• 申請(qǐng)日: 2013-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104465346B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何永根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種形成柵極的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底表面形成柵介質(zhì)層；

對(duì)所述柵介質(zhì)層表面進(jìn)行還原氣體焙烤；

對(duì)所述柵介質(zhì)層表面進(jìn)行吹掃；

在吹掃過(guò)的柵介質(zhì)層表面上形成柵極層，所述吹掃溫度在400～800攝氏度的范圍；

圖形化所述柵極層以形成柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用高介電常數(shù)材料制成所述柵介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原氣體焙烤的步驟包括：采用氫氣對(duì)所述柵介質(zhì)層表面進(jìn)行焙烤。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原氣體焙烤的步驟包括：采用氘氣對(duì)所述柵介質(zhì)層表面進(jìn)行焙烤。

5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述還原氣體焙烤的步驟包括：焙烤溫度在400～800攝氏度的范圍，焙烤壓強(qiáng)在0.1～700托的范圍。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述還原氣體焙烤步驟包括：在所述還原氣體中混入氮?dú)狻?!-- SIPO -->

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)柵介質(zhì)層表面進(jìn)行吹掃的步驟包括：采用氯化氫氣體對(duì)柵介質(zhì)層表面進(jìn)行吹掃。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)柵介質(zhì)層表面進(jìn)行吹掃的步驟包括：采用二氯乙烷氣體對(duì)柵介質(zhì)層表面進(jìn)行吹掃。

9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述對(duì)柵介質(zhì)層表面進(jìn)行吹掃的步驟包括：吹掃壓強(qiáng)在0.1～700托的范圍。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極層的步驟包括：采用硅烷形成所述柵極層。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極層的步驟包括：采用乙硅烷形成所述柵極層。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極層的步驟包括：通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法形成所述柵極層。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述化學(xué)氣相沉積為低壓化學(xué)氣相沉積。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在低壓化學(xué)氣相沉積時(shí)，沉積溫度在450～750攝氏度的范圍，沉積壓強(qiáng)在0.1～300托的范圍。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極層形成在晶圓上，所述形成柵極層的步驟包括：分別在單個(gè)晶圓上形成所述柵極層。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極層形成在晶圓上，所述形成柵極層的步驟包括：同時(shí)在多個(gè)晶圓上形成所述柵極層。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述形成柵極層的步驟包括：通過(guò)爐管在所述晶圓上形成柵極層。

18.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極層的步驟包括：所述柵極層為多晶硅層。

19.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成柵極層的步驟包括：所述柵極層為非晶硅層。