[發明專利]陣列基板及其制作方法無效
| 申請號: | 201310425475.0 | 申請日: | 2013-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN103474435A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 張明;樊超;崔立全;郝昭慧;尹雄宣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。
背景技術
陣列基板上設有柵線、數據線、薄膜晶體管、像素電極等結構;上述結構均采用由不同層的導電材質構成。通常陣列基板為分層結構包括形成柵極的柵極金屬層、形成薄膜晶體管源極和漏極的源漏金屬層以及形成像素電極的像素電極層等。有的陣列基板上還包括形成公共電極的公共電極層。其中,柵線與薄膜晶體管的柵極相連;數據線與薄膜晶體管的源極相連;柵線用以開啟薄膜晶體管,數據線用以通過所述薄膜晶體管向像素電極輸入電壓信號;柵線在陣列基板的邊緣處形成柵極信號線用以與柵極驅動相連;所述柵線和數據線可以統稱為信號線;在陣列基板的邊緣用于與驅動電路進行連接的非顯示區域內設有布線區域(或稱為fanout扇區);每一條所述信號線均包括分布在陣列基板顯示區域的部分以及分布在陣列基板非顯示區域部分;通常所述布線區域內集中若干條信號線用于驅動的連接部分。
信號線在所述布線區域集中的過程中,將造成信號線所走過的路徑的遠近不同,信號線所走過的路徑不同,在導電材質以及信號線寬度一致的情況下,形成的信號線的長度差,將導致信號線形成電阻差。從而信號線長度長短影響了電信號傳輸的路徑的長短,從而導電通路長度不一,造成電阻電容差異,最終導致信號傳輸過程中形成不同時延,從而形成顯示不良。
為了解決上述問題,現有的做法將位于布線區域內的信號線以折線方式形成導電通路,從而延長其長度,以形成與其他信號線差不多的長度,從而確保信號線與信號線之間的電阻差在預定的范圍內,從而保證各信號線對傳輸信號的時延一致。具體的如圖1所示,圖中虛線圍成的區域為布線區域即所述布線區域S-S’,布線區域S-S’內設有靠近布線區域S-S’邊緣的信號線011以及位于布線區域S-S’中間的信號線012。為了使信號線011與信號線012形成等電阻的導通路徑,將所述信號線012做成了折線狀,但是形成折線將導致信號線所占的布線區域的寬度變寬。現有技術采用在陣列基板的同一層上形成折線時則所述信號線012所占寬度為d,從而同樣面積的布線區域所能容納的信號線數目減少,進而導致驅動(COF等)數量增加,驅動數量的增加必然導致驅動IC的增加,最終導致了成本的增加。
發明內容
(一)發明目的
針對上述問題,本發明旨在提供一種可以減少連接信號線所占的面積,從而有利于提高連接信號線的密集度,從而減少驅動成本,且有利于縮小邊框的陣列基板及其制作方法。
(二)技術方案
為達上述目的,本發明陣列基板,包括設置在非顯示區域的多個布線區域,所述布線區域內設置有若干信號線,每一所述布線區域內至少部分所述信號線由位于不同層的導線串接而成;同一布線區域內任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內。
優選地,所述導線位于柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層或公共電極層。
優選地,所述柵極金屬層、源漏金屬層、像素電極層以及公共電極層中任意兩層之間均設有絕緣層;位于不同層的導線通過設置在所述絕緣層上的過孔進行串接。
優選地,同一所述信號線的不同層導線均位于同一截面內;
所述截面垂直于所述陣列基板所在的平面。
優選地,所述信號線一端與顯示區域的數據線或柵線相連接,另一端與驅動電路連接。
優選地,形成同一所述信號線的至少一層中包括兩條以上間斷的導線。
優選地,形成同一所述信號線的每一層都僅包括一條導線,不同層間的導線通過過孔串接形成所述信號線。
為達上述目的,本發明陣列基板的制作方法,包括形成位于非顯示區域且與柵線或數據線相連的信號線的步驟,所述信號線由位于不同層的導線串接而形成;
其中,所述信號線位于所述陣列基板的非顯示區域的布線區域內;且同一布線區域內任意兩根信號線的電阻差均在閾值范圍內。
進一步地,具體包括:
在顯示區域形成包括柵線的柵極金屬層,且同步形成非顯示區域所述信號線的若干間斷的第一導線;
在所述柵極金屬層上和所述第一導線上形成柵絕緣層及有源層;
對應于所述第一導線的端點處形成貫穿柵絕緣層和有源層的第一過孔;
在所述有源層之上形成包括源極、漏極以及數據線的源漏金屬層,且同時在所述第一導線的間斷對應處形成第二導線,并在所述第一過孔內填充用以形成所述源極、漏極以及信號線的導電材料以串接所述第一導線和第二導線。
進一步地,具體包括:
在顯示區域形成包括柵線的柵極金屬層,且同步形成非顯示區域所述信號線的若干間斷的第一導線;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





