[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310425433.7
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN103681387A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 廣永兼也;安永雅敏;平井達也;黑田壯司
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供具有第一主表面的布線板，在所述第一主表面之上放置多個布線并且形成覆蓋所述布線中的一些布線的絕緣膜；

(b)在所述布線板的所述第一主表面之上裝配具有表面的矩形半導體芯片，在所述表面中排列多個焊盤；

(c)使用包括第一金屬接線的多個單獨金屬接線將所述半導體芯片的所述焊盤電耦合到所述布線中的一些布線；并且

(d)密封所述布線板的一部分、所述半導體芯片和所述金屬接線以形成密封體，

其中在平面圖中沿著所述半導體芯片的外邊緣在所述布線板的所述第一主表面之上放置在所述布線中包括的第一帶狀布線，

其中在所述布線板的所述絕緣膜中形成第一開口，

其中從所述第一開口暴露所述第一帶狀布線的第一區域和與所述第一區域對應地提供的第一標記區域，并且

其中所述步驟(c)包括以下步驟：

(c1)檢測所述第一標記區域以由此指定所述第一區域的位置；并且

(c2)在所述步驟(c1)之后，基于在所述步驟(c1)中指定的所述第一區域的所述位置，將所述第一金屬接線電耦合到所述第一區域。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，在所述第一開口中，放置所述第一帶狀布線以便在沿著所述半導體芯片的第一側的第一方向上延伸，并且

其中，放置所述第一標記區域使得在與所述第一方向正交的第二方向上，所述第一標記區域的中心位于在所述第一金屬線與所述第一帶狀布線的所述第一區域之間的耦合點的延伸線上。

3.根據權利要求2所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一帶狀布線具有與所述半導體芯片的所述第一側相對的第一內側和與所述第一內側相對并且位于所述第一內側外部的第一外側，并且

其中，在所述第一外側外部提供所述第一標記區域。

4.根據權利要求3所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一標記區域是所述第一帶狀布線的一部分并且與所述第一外側接觸。

5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，

其中，在平面圖中，所述第一標記區域從所述第一外側突出。

6.根據權利要求5所述的制造半導體器件的方法，

其中，所述第一標記區域從所述第一外側突出成突出形狀，

其中，所述第一標記區域具有與所述第一外側交叉的第一標記側和與所述第一標記側交叉并且與所述第一外側相對的第二標記側，并且

其中，所述第二標記側的長度大于所述第一標記側的長度。

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中，從所述第一開口也暴露第二區域，所述第二區域是所述第一帶狀布線的部分區域并且從所述第一區域離開第一預定距離，并且

其中，所述步驟(c)還包括以下步驟：

(c3)在所述步驟(c2)之后，基于在所述步驟(c1)中指定的所述第一區域的所述位置，將第二金屬接線耦合到從所述第一區域離開所述第一預定距離的所述第二區域。

8.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，

其中，從所述第一開口也暴露第三區域，所述第三區域是所述第一帶狀布線的部分區域并且從所述第一區域離開第二預定距離，

其中所述步驟(c)還包括以下步驟：

(c4)在所述步驟(c3)之后，基于在所述步驟(c1)中指定的所述第一區域的所述位置，將第三金屬接線耦合到從所述第一區域離開所述第二預定距離的所述第三區域，并且

其中，所述步驟(c4)包括將所述第三金屬接線耦合到所述第三區域，使得從所述第一金屬接線被耦合到的在所述第一區域之上的點到所述第二金屬接線被耦合到的在所述第二區域之上的點的第一距離等于從所述第二金屬接線被耦合到的在所述第二區域之上的點到所述第三金屬接線被耦合到的在所述第三區域之上的點的距離。