[發明專利]歐姆接觸結構與具有該歐姆接觸結構的半導體元件

在審

• 申請號: 201310424937.7
• 申請日: 2013-09-17
• 公開（公告）號: CN104465729A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 邱建維;廖庭維;管杰雄;黃宗義;楊宗諭
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種歐姆接觸結構，其特征在于，包含：

一半導體基板，具一頂面；

多個微結構，設置于該頂面上；以及

一導電層，設置于該多個微結構上；

其中，該導電層與該半導體基板形成一歐姆接觸。

2.如權利要求1所述的歐姆接觸結構，其中，該導電層還包括一緩沖層，設置于該半導體基板上，且部分該緩沖層填入或包覆該些微結構以密貼于該頂面。

3.如權利要求1所述的歐姆接觸結構，其中，該微結構的尺徑小于10微米。

4.如權利要求1所述的歐姆接觸結構，其中，該導電層包括金屬、金屬化合物、導電高分子或多晶硅等導電材料的組合。

5.如權利要求2所述的歐姆接觸結構，其中，該導電層還包括一阻障層，該阻障層由金屬或金屬化合物所制成，設置于該緩沖層上。

6.如權利要求1所述的歐姆接觸結構，其中，該微結構為微孔洞或微突狀物，或該些微結構的幾何形狀為圓柱形、方柱形、或錐形。

7.如權利要求1所述的歐姆接觸結構，其中，該多個微結構為陣列或比例方式分布于該頂面上。

8.如權利要求2所述的歐姆接觸結構，其中，該緩沖層的材料為IV族元素、IV族元素的混合物、IV族元素的化合物、金屬、金屬的混合物、或金屬的化合物所構成。

9.如權利要求2所述的歐姆接觸結構，其中，經過熱退火后，通過該緩沖層與該半導體基板間的熔融合金或摻雜作用，以形成該歐姆接觸。

10.一種半導體元件，其特征在于，包含：

一歐姆接觸結構，包括：

一半導體基板，具一頂面；

多個微結構，設置于該頂面上；以及

一第一導電層，設置于該多個微結構上；

其中，該第一導電層與該半導體基板形成一歐姆接觸；

一電流流入端，與該第一導電層電連接；以及

一電流流出端，與一第二導電層電連接，其中該第二導電層與該半導體基板形成歐姆接觸。

11.如權利要求10所述的半導體元件，其中，該第一導電層，還包括：一緩沖層，設置于該半導體基板上，且部分該緩沖層填入或包覆該些微結構以密貼于該頂面。

12.如權利要求11所述的半導體元件，其中，該緩沖層為IV族元素、IV族元素的混合物、IV族元素的化合物、金屬、金屬的混合物、或金屬的化合物所構成。

13.如權利要求10所述的半導體元件，其中，該導電層包括金屬、金屬化合物、導電高分子或多晶硅等導電材料的組合。

14.如權利要求10所述的半導體元件，其中，該微結構為微孔洞或微突狀物，或該些微結構的幾何形狀為圓柱形、方柱形、或錐形。

15.如權利要求10所述的半導體元件，其中，該多個微結構為陣列或比例方式分布于該頂面上。