[發(fā)明專(zhuān)利]可控硅靜電保護(hù)器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310424584.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103515381A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉洋;吳霜毅;張鐸;董華;顧野;徐艷飛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/02 |
| 代理公司: | 成都虹橋?qū)@聞?wù)所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 劉世平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 可控硅 靜電 保護(hù) 器件 | ||
1.可控硅靜電保護(hù)器件,包括可控硅靜電保護(hù)器件本體,其特征在于,還包括阻變器件及可調(diào)電源,所述阻變器件與可調(diào)電源并聯(lián),并連接在可控硅靜電保護(hù)器件本體的柵極與陰極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述可控硅靜電保護(hù)器件,其特征在于,所述阻變器件為憶阻器。
3.可控硅靜電保護(hù)器件,包括可控硅靜電保護(hù)器件本體,其特征在于,還包括阻變器件及可調(diào)電源,所述阻變器件與可調(diào)電源并聯(lián),并連接在可控硅靜電保護(hù)器件本體的柵極與陽(yáng)極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述可控硅靜電保護(hù)器件,其特征在于,所述阻變器件為憶阻器。
5.可控硅靜電保護(hù)器件,包括可控硅靜電保護(hù)器件本體,其特征在于,還包括阻變器件及可調(diào)電源,所述阻變器件與可調(diào)電源并聯(lián),并連接在可控硅靜電保護(hù)器件本體的PNP三極管基極或NPN三極管集電極與陽(yáng)極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述可控硅靜電保護(hù)器件,其特征在于,所述阻變器件為憶阻器。
7.雙向可控硅靜電保護(hù)器件,包括第一可控硅靜電保護(hù)器件與第二可控硅靜電保護(hù)器件,其特征在于,所述第一可控硅靜電保護(hù)器件為權(quán)利要求1或2或3或4或5或6或7所述的可控硅靜電保護(hù)器件,第二可控硅靜電保護(hù)器件為與第一可控硅靜電保護(hù)器件相同的可控硅靜電保護(hù)器件,第一可控硅靜電保護(hù)器件的陰極與第二可控硅靜電保護(hù)器件的陽(yáng)極連接作為第一主電極,第一阻變器件的陽(yáng)極與第二阻變器件的陰極連接作為第二主電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





