[發明專利]一種太陽能電池的制造工藝流程無效
| 申請號: | 201310424331.3 | 申請日: | 2013-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN104465859A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱市宏天銳達科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150000 黑龍江省哈爾濱市*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 制造 工藝流程 | ||
1.一種太陽能電池的制造工藝流程,其特征在于:所述的工藝流程是采用以下步驟來實現的:
(1)硅片切割,材料準備:所用的單晶硅材料,一般采用坩鍋直拉法制的太陽級單晶硅棒,原始的形狀為圓柱形,然后切割成方形硅片(或多晶方形硅片),硅片的邊長一般為10~15cm,厚度約200~350um,電阻率約1Ω.cm的p型(摻硼);?????(2)去除損傷層:硅片在切割過程會產生大量的表面缺陷,表面的質量較差,電池制造過程中導致碎片增多,將切割損傷層去除,一般采用堿或酸腐蝕,腐蝕的厚度約10um;?????(3)制絨:是把相對光滑的原材料硅片的表面通過酸或堿腐蝕,使其凸凹不平,變得粗糙,形成漫反射,減少直射到硅片表面的太陽能的損失,對于單晶硅來說一般采用NaOH加醇的方法腐蝕,利用單晶硅的各向異性腐蝕,在表面形成無數的金字塔結構,堿液的溫度約80度,濃度約1~2%,腐蝕時間約15分鐘,對于多晶來說,一般采用酸法腐蝕;?????(4)擴散制結:擴散的目的在于形成PN結,普遍采用磷做n型摻雜,在擴散前硅片表面的潔凈非常重要,要求硅片在制絨后要進行清洗,即用酸來中和硅片表面的堿殘留和金屬雜質;
(5)邊緣刻蝕、清洗:擴散過程中,在硅片的周邊表面也形成了擴散層,周邊擴散層使電池的上下電極形成短路環,必須將它除去,周邊上存在任何微小的局部短路都會使電池并聯電阻下降,以至成為廢品,目前,工業化生產用等離子干法腐蝕,在輝光放電條件下通過氟和氧交替對硅作用,去除含有擴散層的周邊,擴散后清洗的目的是去除擴散過程中形成的磷硅玻璃;
?(6)沉積減反射層:積減反射層的目的在于減少表面反射,增加折射率;
???(7)絲網印刷上下電極:電極的制備是太陽電池制備過程中一個至關重要的步驟,現在普遍采用絲網印刷法,即通過特殊的印刷機和模版將銀漿鋁漿(銀鋁漿)印刷在太陽電池的正背面,以形成正負電極引線;
???(8)共燒形成金屬接觸:晶體硅太陽電池要通過三次印刷金屬漿料,傳統工藝要用二次燒結才能形成良好的帶有金屬電極歐姆接觸,共燒工藝只需一次燒結,同時形成上下電極的歐姆接觸,在太陽電池絲網印刷電極制作中,通常采用鏈式燒結爐進行快速燒結;
???(9)電池片測試:測試的目的是對電池的輸出功率進行標定,測試其輸出特性,確定組件的質量等級。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





